China MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
China SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC Tecnologia de microchip

SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroeletrônica

M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMicroeletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp

CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Síncrono, SDR
China W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Eletrônica

W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR móvel
China NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC em semi

NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC em semi

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Não volátil, volátil
Formato da memória: FLASH, RAM
Tecnologia: Flash - NAND, LPDRAM móvel
China IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR
China MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: GOLE
China MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix

MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
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