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IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

  • IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número do modelo IS43R16160F-6BLI
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR Tamanho de memória 256Mbit
Organização da memória 16M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 166 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 700 picosegundos Voltagem - Fornecimento 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 60-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 60-TFBGA (8x13)
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Part Number Description
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Características

• Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Baixa tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
• taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 933 MHz
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Arquitetura pré-retirada de 8n-bit
• Latência CAS programável
• Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
• Latência de gravação CAS programável (CWL) baseada no tCK
• Duração de explosão programável: 4 e 8
• Sequência de explosão programável: Sequencial ou Interleave
• Interrupção de BL no momento
• Auto auto-refrescar (ASR)
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Intervalo de atualização:
7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamento em matriz parcial
• Pin de RECOMENDAÇÃO assíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinâmico (Terminação instantânea)
• Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escrever nivelamento
• Até 200 MHz no modo DLL desligado
• Temperatura de funcionamento:
Comércio (TC = 0°C a +95°C)
Indústria (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante ISSI
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.3 V ~ 2,7 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 TFBGA (8x13)
Capacidade de memória 256M (16M x 16)
Tipo de memória DDR SDRAM
Velocidade 166 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória DDR IC 256Mb (16M x 16) Paralela 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60 pin TFBGA
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI