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85MHZ memória Flash estável IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Permanente | Formato da memória | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH | Tamanho de memória | 16Mbit |
Organização da memória | 528 bytes x 4096 páginas | Relação da memória | SPI |
Frequência de pulso de disparo | 85 megahertz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 8µs, 4ms |
Tempo de acesso | - | Tensão - fonte | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TC) | Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | 8-SOIC (0,209", largura de 5.30mm) | Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC |
Destacar | Memória Flash estável IC,85MHZ memória Flash IC,AT45DB161E-SHD-T |
Descrição de produto
Projeto Alemanha do FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas de AT45DB161E-SHD-T IC GmbH
Detalhes do produto
Descrição
O Atmel AT45DB161E é um mínimo 2.3V ou 2.5V, memória Flash de acesso sequencial da de série-relação serida idealmente para uma grande variedade de voz digital, imagem, código do programa, e aplicações do armazenamento de dados. O AT45DB161E igualmente apoia a relação de série da corredeira para as aplicações que exigem a operação muito de alta velocidade. Seus 17.301.504 bocados da memória são organizados como 4.096 páginas de 512 bytes ou de 528 bytes cada um. Além do que a memória central, o AT45DB161E igualmente contém dois amortecedores de SRAM de 512/528 dos bytes cada um. Os amortecedores permitem a recepção dos dados quando uma página na memória central reprogrammed. Intercalar entre ambos os amortecedores pode dramaticamente aumentar a capacidade de um sistema para escrever um córrego de dados contínuos. Além, os amortecedores de SRAM podem ser usados como o risco adicional do sistema pademory, e a emulation de E2PROM (mutabilidade do bocado ou do byte) pode facilmente ser segurada com uns três que independentes a etapa ler-alterar-escreve a operação.
Características
único 2.3V - 3.6V ou 2.5V - fonte 3.6Vrelação periférica de série do (SPI) compatível
o apoia os modos 0 e 3 de SPI
o apoia a operação de Atmel® RapidS™
capacidade lida contínua do com a disposição inteira
até 85MHz
a baixa potência do leu a opção até 10MHz
tempo da Pulso de disparo-à-saída do (tevê) do máximo 6ns
tamanho de página configurável do usuário do
512 bytes pela página
528 bytes pela página (defeito)
o tamanho de página do pode ser fábrica pre-configurada para 512 bytes
amortecedores de dados totalmente independentes de SRAM do dois (512/528 dos bytes)
Allows que recebe dados ao reprogramming a disposição da memória central
opções de programação flexíveis do
programa do byte/página do (1 512/528 dos bytes) diretamente na memória central
amortecedor do para escrever
o protege ao programa da página da memória central
o flexível apaga opções
a página do apaga (512/528 dos bytes)
o bloco do apaga (4KB)
o setor do apaga (128KB)
Chip Erase (16-Mbits)
programa do e para apagar suspender/resumo
características de proteção de dados avançadas do hardware e do software do
proteção individual do setor do
lockdown individual do setor do para fazer algum setor permanentemente de leitura apenas
128 byte, único registro programável da segurança (OTP)
fábrica de 64 bytes programada com um identificador original
usuário de 64 bytes programável
restauração controlada do software do
a identificação padrão do fabricante e do dispositivo do JEDEC leu
dissipação da baixa potência do
corrente Ultra-profunda do poder-Para baixo do 500nA (típica)
corrente profunda do poder-Para baixo do 3μA (típica)
corrente do apoio do 25μA (típica)
corrente lida ativa do 11mA (típica)
resistência do : 100.000 programas/apagam ciclos pelo mínimo da página
retenção dos dados do : 20 anos
o cumpre com a variação da temperatura industrial completa
opções de empacotamento do verde do (Pb/Halide-free/RoHS complacente)
8 para conduzir SOIC (0,150" largo)
almofada DFN Ultra-fino do 8 (5 x 6 x 0.6mm)
Microplaqueta-escala BGA da bola do 9 (5 x 5 x 1.2mm)
Especificações
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | ADESTO |
Categoria de produto | Memória CI |
Série | AT45DB |
Empacotamento | Tubo |
Unidade-peso | 0,019048 onças |
Montagem-estilo | SMD/SMT |
Operar-Temperatura-escala | - 40 C + a 85 C |
Pacote-caso | 8-SOIC (0,209", largura de 5.30mm) |
Operar-temperatura | -40°C ~ 85°C (TC) |
Relação | SPI, corredeira |
Tensão-fonte | 2,5 V ~ 3,6 V |
Fornecedor-Dispositivo-pacote | 8-SOIC |
Capacidade de memória | 16M (4096 páginas x 528 bytes) |
Memória-tipo | DataFLASH |
Velocidade | 85MHz |
Arquitetura | Chip Erase |
Formato-memória | FLASH |
Relação-tipo | SPI |
Organização | 2 M x 8 |
Fonte-Atual-máximo | 22 miliampères |
Dados-Ônibus-largura | bocado 8 |
Fonte-Tensão-máximo | 3,6 V |
Fonte-Tensão-minuto | 2,5 V |
Pacote-caso | SOIC-8 |
Máximo-Pulso de disparo-frequência | 70 megahertz |
Sincronismo-tipo | Síncrono |
Fabricante Part # | Descrição | Fabricante | Compare |
SST25VF016B-50-4I-QAF Memória |
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, DSO8, 6 x 5 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, WSON-8 | Tecnologia Inc do microchip | AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4I-QAF |
SST26VF016B-104I/SM Memória |
BAILE DE FINALISTAS do FLASH 2.7V de IC, ROM programável | Tecnologia Inc do microchip | AT45DB161E-SHD-T contra SST26VF016B-104I/SM |
SST25VF016B-75-4I-S2AF Memória |
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, EIAJ, SOIC-8 | Tecnologia Inc do microchip | AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-75-4I-S2AF |
AT45DB161E-SSHD-T Memória |
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,150 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Tecnologias Corporaçõ | AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SSHD-T |
AT45DB161E-SHD-B Memória |
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,208 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, SOIC-8 | Adesto Tecnologias Corporaçõ | AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SHD-B |
AT45DB161E-SSHD-B Memória |
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,150 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Tecnologias Corporaçõ | AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SSHD-B |
AT45DB161D-SU Memória |
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,209 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, EIAJ, SOIC-8 | Atmel Corporaçõ | AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161D-SU |
SST25VF016B-50-4I-S2AF Memória |
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, EIAJ, SOIC-8 | Tecnologia Inc do microchip | AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4I-S2AF |
SST25VF016B-50-4C-S2AF Memória |
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, EIAJ, SOIC-8 | Tecnologia Inc do microchip | AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4C-S2AF |
Descrições
Memória Flash IC 16Mb (528 bytes x 4096 páginas) SPI 85MHz 8-SOIC
NEM DE SÉRIE-SPI instantâneo 3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Flash dos dados da memória Flash 16M 2.5-3.6V 85Mhz
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