85MHZ memória Flash estável IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

Marca Renesas Design Germany GmbH
Número do modelo AT45DB161E-SHD-T
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem caixa antiestática do saco & de cartão
Tempo de entrega 3-5 dias do trabalho
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória FLASH
Tecnologia FLASH Tamanho de memória 16Mbit
Organização da memória 528 bytes x 4096 páginas Relação da memória SPI
Frequência de pulso de disparo 85 megahertz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 8µs, 4ms
Tempo de acesso - Tensão - fonte 2.5V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TC) Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,209", largura de 5.30mm) Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Memória Flash estável IC

,

85MHZ memória Flash IC

,

AT45DB161E-SHD-T

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Descrição de produto

Projeto Alemanha do FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas de AT45DB161E-SHD-T IC GmbH

Detalhes do produto

Descrição

O Atmel AT45DB161E é um mínimo 2.3V ou 2.5V, memória Flash de acesso sequencial da de série-relação serida idealmente para uma grande variedade de voz digital, imagem, código do programa, e aplicações do armazenamento de dados. O AT45DB161E igualmente apoia a relação de série da corredeira para as aplicações que exigem a operação muito de alta velocidade. Seus 17.301.504 bocados da memória são organizados como 4.096 páginas de 512 bytes ou de 528 bytes cada um. Além do que a memória central, o AT45DB161E igualmente contém dois amortecedores de SRAM de 512/528 dos bytes cada um. Os amortecedores permitem a recepção dos dados quando uma página na memória central reprogrammed. Intercalar entre ambos os amortecedores pode dramaticamente aumentar a capacidade de um sistema para escrever um córrego de dados contínuos. Além, os amortecedores de SRAM podem ser usados como o risco adicional do sistema pademory, e a emulation de E2PROM (mutabilidade do bocado ou do byte) pode facilmente ser segurada com uns três que independentes a etapa ler-alterar-escreve a operação.

Características

 único 2.3V - 3.6V ou 2.5V - fonte 3.6V
relação periférica de série do  (SPI) compatível
o  apoia os modos 0 e 3 de SPI
o  apoia a operação de Atmel® RapidS™
capacidade lida contínua do  com a disposição inteira
 até 85MHz
a baixa potência do  leu a opção até 10MHz
tempo da Pulso de disparo-à-saída do  (tevê) do máximo 6ns
tamanho de página configurável do usuário do 
 512 bytes pela página
 528 bytes pela página (defeito)
o tamanho de página do  pode ser fábrica pre-configurada para 512 bytes
amortecedores de dados totalmente independentes de SRAM do  dois (512/528 dos bytes)
 Allows que recebe dados ao reprogramming a disposição da memória central
opções de programação flexíveis do 
programa do byte/página do  (1 512/528 dos bytes) diretamente na memória central
amortecedor do  para escrever
o  protege ao programa da página da memória central
o  flexível apaga opções
a página do  apaga (512/528 dos bytes)
o bloco do  apaga (4KB)
o setor do  apaga (128KB)
 Chip Erase (16-Mbits)
programa do  e para apagar suspender/resumo
características de proteção de dados avançadas do hardware e do software do 
proteção individual do setor do 
lockdown individual do setor do  para fazer algum setor permanentemente de leitura apenas
 128 byte, único registro programável da segurança (OTP)
 fábrica de 64 bytes programada com um identificador original
 usuário de 64 bytes programável
restauração controlada do software do 
a identificação padrão do fabricante e do dispositivo do  JEDEC leu
dissipação da baixa potência do 
corrente Ultra-profunda do poder-Para baixo do  500nA (típica)
corrente profunda do poder-Para baixo do  3μA (típica)
corrente do apoio do  25μA (típica)
corrente lida ativa do  11mA (típica)
resistência do : 100.000 programas/apagam ciclos pelo mínimo da página
retenção dos dados do : 20 anos
o  cumpre com a variação da temperatura industrial completa
opções de empacotamento do verde do  (Pb/Halide-free/RoHS complacente)
 8 para conduzir SOIC (0,150" largo)
almofada DFN Ultra-fino do  8 (5 x 6 x 0.6mm)
Microplaqueta-escala BGA da bola do  9 (5 x 5 x 1.2mm)

Especificações

Atributo Valor de atributo
Fabricante ADESTO
Categoria de produto Memória CI
Série AT45DB
Empacotamento Tubo
Unidade-peso 0,019048 onças
Montagem-estilo SMD/SMT
Operar-Temperatura-escala - 40 C + a 85 C
Pacote-caso 8-SOIC (0,209", largura de 5.30mm)
Operar-temperatura -40°C ~ 85°C (TC)
Relação SPI, corredeira
Tensão-fonte 2,5 V ~ 3,6 V
Fornecedor-Dispositivo-pacote 8-SOIC
Capacidade de memória 16M (4096 páginas x 528 bytes)
Memória-tipo DataFLASH
Velocidade 85MHz
Arquitetura Chip Erase
Formato-memória FLASH
Relação-tipo SPI
Organização 2 M x 8
Fonte-Atual-máximo 22 miliampères
Dados-Ônibus-largura bocado 8
Fonte-Tensão-máximo 3,6 V
Fonte-Tensão-minuto 2,5 V
Pacote-caso SOIC-8
Máximo-Pulso de disparo-frequência 70 megahertz
Sincronismo-tipo Síncrono
ComponentForm compatível funcional, pacote, componente compatível funcional
Fabricante Part # Descrição Fabricante Compare
SST25VF016B-50-4I-QAF
Memória
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, DSO8, 6 x 5 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, WSON-8 Tecnologia Inc do microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4I-QAF
SST26VF016B-104I/SM
Memória
BAILE DE FINALISTAS do FLASH 2.7V de IC, ROM programável Tecnologia Inc do microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST26VF016B-104I/SM
SST25VF016B-75-4I-S2AF
Memória
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnologia Inc do microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-75-4I-S2AF
AT45DB161E-SSHD-T
Memória
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,150 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Tecnologias Corporaçõ AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SSHD-T
AT45DB161E-SHD-B
Memória
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,208 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, SOIC-8 Adesto Tecnologias Corporaçõ AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SHD-B
AT45DB161E-SSHD-B
Memória
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,150 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Tecnologias Corporaçõ AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161E-SSHD-B
AT45DB161D-SU
Memória
Instantâneo, 16MX1, PDSO8, 0,209 POLEGADAS, VERDE, PLÁSTICO, EIAJ, SOIC-8 Atmel Corporaçõ AT45DB161E-SHD-T contra AT45DB161D-SU
SST25VF016B-50-4I-S2AF
Memória
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnologia Inc do microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4I-S2AF
SST25VF016B-50-4C-S2AF
Memória
16M x 1 2.7V BAILES DE FINALISTAS INSTANTÂNEOS, PDSO8, 5,20 x 8 MILÍMETROS, ROHS COMPLACENTE, EIAJ, SOIC-8 Tecnologia Inc do microchip AT45DB161E-SHD-T contra SST25VF016B-50-4C-S2AF

Descrições

Memória Flash IC 16Mb (528 bytes x 4096 páginas) SPI 85MHz 8-SOIC
NEM DE SÉRIE-SPI instantâneo 3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Flash dos dados da memória Flash 16M 2.5-3.6V 85Mhz