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China M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALELO 28TSOP STMicroeletrônica

M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALELO 28TSOP STMicroeletrônica

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALELO 32SOJ Infineon Technologies

CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALELO 32SOJ Infineon Technologies

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALELO 64TQFP Cypress Semiconductor Corp

CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALELO 64TQFP Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, assíncrono
China S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologias Infineon

S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MR2A16AVMA35 IC RAM 4MBIT PARALELO 48FBGA Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35 IC RAM 4MBIT PARALELO 48FBGA Everspin Technologies Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: Memória RAM
Tecnologia: MRAM (RAM magnetoresistiva)
China AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc.

AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA Micron Technology Inc.

MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR4 móvel
China S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologias Infineon

S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALELO 36SOJ Infineon Technologies

CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALELO 36SOJ Infineon Technologies

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512MBIT SPI/QU 24CSPBGA Macronix

MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512MBIT SPI/QU 24CSPBGA Macronix

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
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