China IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3
China AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Tecnologia de microchip

AT49F008AT-12TC IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc.

MB85RC64APNF-G-JNERE1 IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP Kaga FEI America, Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FRAM
Tecnologia: FRAM (RAM Ferroelectric)
China IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Tecnologia de microchip

AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China 71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALÉL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc

71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALÉL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALELO 44SO Micron Technology Inc.

MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALELO 44SO Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
China MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR4
China IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: GOLE
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