IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Características

● Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Baixa Tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
● Alta velocidade de transferência de dados com frequência de sistema de até 1066 MHz
● 8 bancos internos para operação simultânea
● Arquitetura pré-retirada de 8n-bit
● Latência CAS programável
● Latência Aditiva Programável: 0, CL-1, CL-2
● Latência de gravação de CAS programável (CWL) baseada no tCK
● Duração de explosão programável: 4 e 8
● Sequência de explosão programável: seqüencial ou intercalada
● Interruptor BL no momento
● Auto-realização ((ASR))
● Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
● Intervalo de atualização:
7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Auto-refrescamento em matriz parcial
● Pin de RESET assíncrono
● TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● ODT dinâmico (Terminação instantânea)
● Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Escrever nivelamento
● Até 200 MHz no modo DLL desligado
● Temperatura de funcionamento:
Comércio (TC = 0°C a +95°C)
Indústria (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)