China STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28CDIP Cypress Semiconductor Corp

STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28CDIP Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: NVSRAM
Tecnologia: NVSRAM (SRAM permanente)
China Eletrônica de W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Winbond

Eletrônica de W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II Winbond

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR
China S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALELO 84FBGA Cypress Semiconductor Corp

S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALELO 84FBGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc.

MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR4
China S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Tecnologias Infineon

S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Tecnologia de microchip

AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALELO 32CDIP STMicroeletrônica

M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALELO 32CDIP STMicroeletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EPROM
Tecnologia: EPROM - UV
China 70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, assíncrono
China IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: DRAM - EDO
China IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
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