China R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronics America Inc.

R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128 MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128 MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
China BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28DIP Texas Instruments

BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALELO 28DIP Texas Instruments

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: NVSRAM
Tecnologia: NVSRAM (SRAM permanente)
China AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Germany GmbH

AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Germany GmbH

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, sincrono
China AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Tecnologia de microchip

AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR
China IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
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