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IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
---|---|---|---|
Tecnologia | SDRAM - DDR | Tamanho de memória | 128Mbit |
Organização da memória | 4M x 32 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 200 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
Tempo de acesso | 700 picosegundos | Voltagem - Fornecimento | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 144-LFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 144-LFBGA (12x12) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43R32400E-5BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-5BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-5BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-5BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4B | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5B | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Características
● Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Baixa Tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
● Alta velocidade de transferência de dados com sistema
frequência até 933 MHz
● 8 bancos internos para operação simultânea
● Arquitetura pré-retirada de 8n-bits
● Latência CAS programável
● Latência Aditiva Programável: 0, CL-1, CL-2
● Latência de gravação de CAS programável (CWL) baseada no tCK
● Duração de explosão programável: 4 e 8
● Sequência de explosão programável: seqüencial ou intercalada
● Interruptor BL no momento
● Auto-realização ((ASR))
● Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
● Intervalo de atualização:
7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Auto-refrescamento em matriz parcial
● Pin de RESET assíncrono
● TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● ODT dinâmico (Terminação instantânea)
● Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ′′)
● Escrever nivelamento
● Até 200 MHz no modo DLL desligado
● Temperatura de funcionamento:
Comércio (TC = 0°C a +95°C)
Indústria (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | ISSI |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | IS43R32400E |
Tipo | DDR1 |
Embalagem | Embalagens alternativas de fita e bobina (TR) |
Estilo de montagem | SMD/SMT |
Embalagem | 144-LFBGA |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 2.3 V ~ 2,7 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 144-LFBGA (12x12) |
Capacidade de memória | 128M (4M x 32) |
Tipo de memória | DDR SDRAM |
Velocidade | 200 MHz |
Tempo de acesso | 5 ns |
Memória de formato | Memória RAM |
Temperatura máxima de funcionamento | + 70 C |
Intervalo de temperatura de funcionamento | 0 C |
Organização | 4 M x 32 |
Suporte-corrente-máximo | 320 mA |
Largura do Data-Bus | 32 bits |
Voltagem de alimentação máxima | 2.7 V |
Voltagem de alimentação-min | 2.3 V |
Embalagem | LFBGA-144 |
Frequência máxima do relógio | 200 MHz |
Descrições
SDRAM - Memória DDR IC 128Mb (4M x 32) Paralela 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
Chip DRAM DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-Pin LFBGA T/R
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v
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