China TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALELO 48TSOP I Kioxia America, Inc.

TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALELO 48TSOP I Kioxia America, Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
China CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALELO 144TQFP Cypress Semiconductor Corp

CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALELO 144TQFP Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, sincrono
China S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALELO 80FBGA Cypress Semiconductor Corp

S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALELO 80FBGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP Kaga FEI América, Inc.

MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP Kaga FEI América, Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FRAM
Tecnologia: FRAM (RAM Ferroelectric)
China AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512 MBIT PARALELO 60FBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512 MBIT PARALELO 60FBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR2
China AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALELO 36SOJ Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALELO 36SOJ Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALELO 166MHZ Micron Technology Inc.

MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1TB PARALELO 166MHZ Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
China MT47H128M4BT-37E:UM TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M4BT-37E:UM TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR2
China RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.

RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM
China CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Tecnologias Infineon

CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
3 4 5 6 7 8 9 10