China CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp

CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, sincrono
China R1EX24002ASAS0I#S0 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP Renesas Electronics America Inc.

R1EX24002ASAS0I#S0 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALELO 90FBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALELO 90FBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR móvel
China IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS66WVH8M8BLL-100B1LI IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: PSRAM
Tecnologia: PSRAM (SRAM pseudo-)
China CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Infineon Technologies

CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Infineon Technologies

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Sincrono, QDR IV
China 7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC Renesas Electronics America Inc.

7005L20JGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, assíncrono
China AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALÉL 32LCC Tecnologia de microchip

AT28C010-12EM/883 IC EEPROM 1MBIT PARALÉL 32LCC Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALELO 78FBGA Alliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3-12BAN IC DRAM 4GBIT PARALELO 78FBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3
China 网站状态已关闭,请在后台开启

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Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
China IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Sincrono, DDR II
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