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CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp

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xTipo da memória | Temporário | Formato da memória | SRAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | SRAM - Portos duplos, sincrono | Tamanho de memória | 36Mbit |
Organização da memória | 2M x 18 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 167 megahertz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - |
Tempo de acesso | 4 ns | Voltagem - Fornecimento | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 484-FBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 484-PBGA (27x27) |
Part Number | Description | |
---|---|---|
CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S18V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484FBGA | |
CYD18S72V18-200BGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-200BGXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD09S72V18-200BGXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S18V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S18V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S36V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S36V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXC | IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA | |
CYD36S72V18-167BGXI | IC SRAM 36MBIT 167MHZ 484FBGA | |
CYD36S72V18-200BGXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGXC | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA | |
CYD18S72V18-167BGI | IC SRAM 18MBIT PAR 484PBGA |
Detalhes do produto
Resistores de precisão por eixo com chumbo
A gama Holco de resistores de película metálica de precisão atende à exigência de componentes de preço económico para aplicações industriais e militares.A instalação de fabrico utiliza processos de produção rigorosamente controlados, incluindo o revestimento por pulverização de películas de liga metálica em substratos cerâmicos.O material é revestido com uma camada de epóxi para proteção ambiental e mecânica.Comercialmente, a série está disponível em dois tamanhos de caixa, de 1 ohm a 4M ohms, tolerâncias de 0,05% a 1% e TCRs de 5ppm/°C a 100ppm/°C. Oferecido com liberação para BS CECC 40101 004, 030 e 804, o H8 está disponível através da distribuição.
Características fundamentais
■ Ultraprecisão - até 0,05%■ Os conjuntos correspondentes estão disponíveis até 2 ppm/°C
■ Resiste a pulsos elevados
■ Baixa reatividade
■ TCR baixo - até 5 ppm/°C
■ Estabilidade a longo prazo
■ Até 1 Watt a 70°C
■ Publicação ao CECC 40101 004, 030 e 804
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Semicondutor de cipreste |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | - |
Embalagem | Caixa |
Embalagem | 484-FBGA |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 1.42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 484-FBGA (23x23) |
Capacidade de memória | 36M (2M x 18) |
Tipo de memória | SRAM - Portos duplos, sincrono |
Velocidade | 167 MHz |
Memória de formato | Memória RAM |