Todos os Produtos
-
Circuito integrado IC
-
Módulo do RF IC
-
Gestão CI do poder
-
Unidade do microcontrolador de MCU
-
Circuito integrado de FPGA
-
Sensor do circuito integrado
-
Circuitos integrados da relação
-
Isolador Opto de Digitas
-
Memória Flash IC
-
AMORTECEDOR IC da lógica
-
Microplaqueta de IC do amplificador
-
Sincronismo IC do pulso de disparo
-
IC por aquisição de dados
AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALELO 90FBGA Alliance Memory, Inc.
| Marca | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Número do modelo | AS4C16M32MD1-5BCN |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
Contacte-me para amostras grátis e vales.
Whatsapp:0086 18588475571
bate-papo: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.
xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM - LPDDR móvel | Tamanho de memória | 512Mbit |
| Organização da memória | 16M x 32 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | 200 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
| Tempo de acesso | 5 ns | Voltagem - Fornecimento | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura de funcionamento | -25°C ~ 85°C (TJ) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 90-VFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 90 FBGA (8x13) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M32MD1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BIN | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BINTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Características
• Organização: 1,048,576 palavras × 4 bits• Alta velocidade
- Tempo de acesso ao RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tempo de acesso ao endereço da coluna
- 10/13/15/18 ns Tempo de acesso ao CAS
• Baixo consumo de energia
- Ativos: 385 mW máximo (-60)
- Em espera: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modo de página rápida (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualização, intervalo de actualização de 16 ms
- Reaproveitamento somente do RAS ou do CAS antes do RAS
• Leitura-modificação-escrita
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26-pin TSOP
• Fonte de alimentação única de 5 V
• Proteção ESD ≥ 2001V
• Corrente de retenção ≥ 200 mA
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
| Embalagem | 90 VFBGA |
| Temperatura de funcionamento | -25°C ~ 85°C (TJ) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tensão | 10,7 V ~ 1,95 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 90 FBGA (8x13) |
| Capacidade de memória | 512M (16M x 32) |
| Tipo de memória | SDRAM DDR móvel |
| Velocidade | 200 MHz |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - Memória LPDDR móvel IC 512Mb (16M x 32) Paralela 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 DDR móvel
Produtos recomendados
