China AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Tecnologia de microchip

AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALELO 63TFBGA Kioxia America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALELO 63TFBGA Kioxia America, Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
China R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.

R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM
China IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
China CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALÉL 32DIP em semi

CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALÉL 32DIP em semi

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALÉL 32TSOP em semi

NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALÉL 32TSOP em semi

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EPROM
Tecnologia: EPROM - OTP
China CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp

CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4.5MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, sincrono
China MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3
China 71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc

71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Síncrono, SDR (ZBT)
China M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STMicroeletrônica

M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STMicroeletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
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