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MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

  • MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT4111 MT
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Tempo de entrega 3-5 dias úteis
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR3 Tamanho de memória 2Gbit
Organização da memória 128M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 10,066 GHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso 20 ns Voltagem - Fornecimento 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 96-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 96-FBGA (8x14)
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Part Number Description
MT41K128M16JT-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16JT-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-187E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-107G:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J64M16JT-125E:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-125:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K64M16JT-15E:G IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16JT-093 J:K IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

DDR3 SDRAM

2 GB: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Características

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• 1.5 V de entrada/saída por empurrão/puxação com terminação central
• Estroboscopo bidirecional de dados diferencial
• Arquitetura de prefetch de 8n-bit
• Entradas de relógio diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminação nominal e dinâmica (ODT) para sinais de dados, estroboscopo e máscara
• CAS READ latency (CL) programável
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• Latência de gravação CAS programável (CWL) baseada no tCK
• comprimento fixo de explosão (BL) de 8 e corte de explosão (BC) de 4 (através do conjunto de registo de modo [MRS])
• BC4 ou BL8 selecionáveis on-the-fly (OTF)
• Modo de auto-realização
• TC de 0°C a 95°C
- 64ms, 8192 ciclos de atualização a 0°C a 85°C
32ms, 8192 ciclos de atualização a 85°C a 95°C
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Escrever nivelamento
• Registo multifuncional
• Calibração do condutor de saída

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 96-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.425 V ~ 1.575 V
Embalagem do produto do fornecedor 96-FBGA (8x14)
Capacidade de memória 2G (128M x 16)
Tipo de memória DDR3 SDRAM
Velocidade 1066 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR3 Memória IC 2Gb (128M x 16) Paralela 1066MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI