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CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALÉL 32DIP em semi

  • CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP onsemi
Marca onsemi
Número do modelo Cat.28C512LI12
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória EEPROM
Tecnologia EEPROM Tamanho de memória 512Kbit
Organização da memória 64K x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 5ms
Tempo de acesso 120 ns Voltagem - Fornecimento 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Através do Buraco
Embalagem / Caixa 32 DIP (0,600", 15,24 mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 32-PDIP
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Part Number Description
CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001LI-12B IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010LI12 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020LI12 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512LI12 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28C512L12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28C512LI15 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001L-12B IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001L-12T IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001L-90B IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010L12 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010LI90 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020L12 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512L12 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020L90 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001LI-12T IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512LI90 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512L90 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020LI90 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010L90 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28C512L15 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição

O CAT28C512/513 é uma EEPROM paralela CMOS de baixa potência e 5V organizada como 64K x 8 bits.ciclo de gravação auto-temporizado com auto-limpeza e proteção de gravação de energia VCC para cima/abaixo eliminar hardware de cronometragem e proteção adicionais.

Características

■ Tempo de acesso rápido à leitura: 120/150 ns
■ Dissipação CMOS de baixa potência:
Atividade: 50 mA Max.
¢ Dispositivo de espera: 200 μA Max.
■ Operação simples de escrita:
¢ Endereço e fechaduras de dados no chip
¢ Ciclo de escrita auto-timed com auto-clar
■ Tempo de ciclo de escrita rápido:
¢5ms Max
■ I/O compatível com CMOS e TTL
■ Operação automática de escrita de páginas:
1 a 128 bytes em 5 ms
¢ Timer de carregamento da página
■ Detecção de fim de escrita:
¢ Bit de Troca
DATA Pesquisa
■ Proteção de gravação por hardware e software
■ 100.000 ciclos de programação/apagamento
■ 100 anos de conservação dos dados
■ Intervalos de temperatura comerciais, industriais e automóveis

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante semi-
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Tubos
Embalagem 32 DIP (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor 32-PDIP
Capacidade de memória 512K (64K x 8)
Tipo de memória EEPROM
Velocidade 120 ns
Memória de formato EEPROM - Paralelo

Descrições

Memória EEPROM IC 512Kb (64K x 8) Paralela 120ns 32-PDIP
EEPROM paralelo 512K-bit 64K x 8 5V tubo PDIP de 32 pines
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI