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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALELO 63TFBGA Kioxia America, Inc.

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xTipo da memória | Permanente | Formato da memória | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) | Tamanho de memória | 1Gbit |
Organização da memória | 128M x 8 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | - | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25 ns | Voltagem - Fornecimento | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 63-VFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 63-TFBGA (9x11) |
Part Number | Description | |
---|---|---|
TC58BVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TH58BYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TH58BVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TC58BYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | |
TH58NYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58NYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BYG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT 63TFBGA | |
TH58NVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58NYG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
TH58BYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58NVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TC58BVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58BYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58NYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
TC58NYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
TH58NVG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
TH58NVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
Detalhes do produto
85 oC, condensador de uso geral de alta ondulação
Tipo TC é um condensador eletrolítico de alumínio de uso geral, de 85 oC, de vida útil de 1000 horas, com chumbo axial, com uma corrente de ondulação elevada e adequado para aplicações em equipamentos eletrónicos de consumo.
Destaques
• Finalidade geral• Corrente de ondulação elevada
• Instalação de baixo perfil
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Toshiba Semicondutores e Armazenamento |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | BenandTM |
Embalagem | Caixa |
Embalagem | 63-VFBGA |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 2.7 V ~ 3.6 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 63-TFBGA (9x11) |
Capacidade de memória | 1G (128M x 8) |
Tipo de memória | EEPROM - NAND |
Velocidade | 25 ns |
Memória de formato | EEPROMs - em série |