TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALELO 48TSOP I Kioxia America, Inc.

Marca Kioxia America, Inc.
Número do modelo - Não, não, não.
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (SLC) Tamanho de memória 8 Gbits
Organização da memória 1G x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 25ns
Tempo de acesso 25 ns Voltagem - Fornecimento 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 48-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 48-TSOP I
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Part Number Description
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0FTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG3S0FTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0FTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG5S0FTA20 IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTAK0 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT 48TSOP I
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

[Toshiba]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM

Descrição

O TH58NVG1S3A é um único 3,3-V 2G-bit (2,214,592,512 bits) NAND Memória somente leitura eletricamente apagável e programável (NAND E2PROM) organizada como (2048 + 64) bytes x 64 páginas x 2048 blocos.O dispositivo tem um registro estático de 2112 bytes que permite que os dados de programação e leitura sejam transferidos entre o registro e a matriz de células de memória em incrementos de 2112 bytesA operação de apagamento é implementada numa única unidade de bloco (128 Kbytes + 4Kbytes: 2112 bytes x 64 páginas).
O TH58NVG1S3A é um dispositivo de memória de tipo serial que utiliza os pinos de E/S tanto para endereço e entrada/saída de dados como para entradas de comando.As operações de apagamento e programação são executadas automaticamente, tornando o dispositivo mais adequado para aplicações como armazenamento de arquivos de estado sólido, gravação de voz, memória de ficheiros de imagem para câmaras fixas e outros sistemas que requerem armazenamento de dados de memória não volátil de alta densidade.

Características

• Organização
Célula de memória allay 2112 u 64K u 8 u 2
Registo 2112 u 8
Tamanho da página 2112 bytes
Tamanho do bloco (128K 4K) bytes
• Modos
Leia, Reinicie, Programa de Página Automática
Auto-Bloqueio de apagamento, leitura de status
• Controle do modo
Entrada/saída em série
Controle de comando
• Fornecimento de energia VCC 2,7 V a 3,6 V
• Ciclos de programação/apagamento 1E5 Ciclos ((Com ECC)
• Tempo de acesso
Arquivo de células para registar 25 μs max
Ciclo de leitura em série 50 ns min
• Corrente de funcionamento
Leitura (ciclo de 50 ns) 10 mA tipo.
Programa (média) 10 mA tipo.
Eliminação (média) 10 mA tip.
50 μA no máximo em modo de espera
• Pacote
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Peso: 0,53 g tip.)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante TOSHIBA
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo/Sérias
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 48-TSOP I
Capacidade de memória 8G (1G x 8)
Tipo de memória EEPROM - NAND
Velocidade 25 ns
Memória de formato EEPROM - Bus de dados de entrada/saída em série

Descrições

NAND Flash Paralelo 3.3V 8G-bit 1G x 8
EEPROM 3.3V, 8 Gbit CMOS e NAND EEPROM