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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
---|---|---|---|
Tecnologia | DRAM - EDO | Tamanho de memória | 16Mbit |
Organização da memória | 1M x 16 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | - | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - |
Tempo de acesso | 25 ns | Voltagem - Fornecimento | 3 V ~ 3,6 V |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura) | Pacote de dispositivos do fornecedor | 42-SOJ |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS41LV16100B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16100C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
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IS41LV16100D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição
O ISSIIS41LV16100B é 1,048Memórias de Acesso Dinâmico aleatório CMOS de alto desempenho de 576 x 16 bits. Estes dispositivos oferecem um acesso de ciclo acelerado chamado Modo de Página EDO. O Modo de Página EDO permite 1,024 acessos aleatórios numa única linha com um tempo de ciclo de acesso tão curto como 20 ns por palavra de 16 bits.
Características
• Entradas e saídas compatíveis com o TTL; E/S de três estados• Intervalo de atualização:
Modo de atualização automática: 1.024 ciclos / 16 ms
¢ somente RAS, CAS antes de RAS (CBR) e oculto
• Pinout padrão JEDEC
• Fonte de alimentação única: 3,3 V ± 10%
• Operação de Byte Write e Byte Read através de dois CAS
• Faixa de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponível sem chumbo
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | ISSI |
Categoria de produtos | Chips IC |
Série | - |
Embalagem | Tubos |
Embalagem | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm) |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 3 V ~ 3,6 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 42-SOJ |
Capacidade de memória | 16M (1M x 16) |
Tipo de memória | DRAM - EDO |
Velocidade | 50 ns |
Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
Memória DRAM - EDO IC 16Mb (1M x 16) Paralela 25ns 42-SOJ
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