IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Características

• Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Baixa tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
• taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 933 MHz
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Arquitetura pré-retirada de 8n-bit
• Latência CAS programável
• Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
• Latência de gravação CAS programável (CWL) baseada no tCK
• Duração de explosão programável: 4 e 8
• Sequência de explosão programável: Sequencial ou Interleave
• Interrupção de BL no momento
• Auto auto-refrescar (ASR)
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Intervalo de atualização:
7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamento em matriz parcial
• Pin de RECOMENDAÇÃO assíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinâmico (Terminação instantânea)
• Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escrever nivelamento
• Até 200 MHz no modo DLL desligado
• Temperatura de funcionamento:
Comércio (TC = 0°C a +95°C)
Indústria (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)