S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALELO 84FBGA Cypress Semiconductor Corp

Marca Cypress Semiconductor Corp
Número do modelo S29WS064RABBHW010
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória FLASH
Tecnologia FLASH - NEM Tamanho de memória 64Mbit
Organização da memória 4M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 108 megahertz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 60ns
Tempo de acesso 80 ns Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento -25°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 84-VFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 84-FBGA (11.6x8)
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Part Number Description
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0SBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0PBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0PBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0SBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0LBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS128P0PBFW003 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW002 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBAW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128PABBFW000 IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBAW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512PABBFW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS256R0SBHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW200E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200E IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

Os Spansion S29WS256/128/064N são produtos MirrorbitTM Flash fabricados com tecnologia de processo de 110 nm.Estes dispositivos flash de modo burst são capazes de executar operações de leitura e gravação simultâneas com latência zero em dois bancos separados usando dados separados e pins de endereçoEstes produtos podem operar até 80 MHz e utilizam um único VCC de 1,7 V a 1,95 V, o que os torna ideais para as exigentes aplicações sem fios de hoje, que exigem uma maior densidade.Melhor desempenho e menor consumo de energia.

Características distintivas

■ Leitura/programa/apagão de 1.8 V (1.70­1.95 V)
■ Tecnologia MirrorBitTM de 110 nm
■ Função de leitura/escrita simultânea com zero
latência
■ Buffer de escrita de 32 palavras
■ Arquitetura de dezesseis bancos constituída por 16/8/4
Os MWords para WS256N/128N/064N, respectivamente
■ Quatro setores de 16 Kword na parte superior e inferior do
matriz de memória
■ 254/126/62 64 Sectores de Kword (WS256N/128N/
064N)
■ Modos de leitura em rádio programáveis
️ Linear para 32, 16 ou 8 palavras linear lido com ou
sem envoltório
Modo de leitura sequencial contínua
■ SecSiTM (Secured Silicon)
de 128 palavras cada para fábrica e cliente
■ 20 anos de conservação dos dados (típica)
■ Endurance de ciclismo: 100.000 ciclos por sector
(típico)
■ A saída RDY indica os dados disponíveis para o sistema
■ Conjunto de comandos compatível com o JEDEC (42.4)
padrão
■ Proteção por hardware (WP#) da parte superior e inferior
Setores
■ Configuração de dois sectores de boot (superior e inferior)
■ Pacotes oferecidos
WS064N: FBGA de 80 bolas (7 mm x 9 mm)
WS256N/128N: FBGA de 84 bolas (8 mm x 11,6 mm)
■ Baixo inibidor de escrita VCC
■ Métodos persistentes e de senha
Proteção do sector
■ Os bits de estado de operação de escrita indicam o programa e
Operação de apagamento concluída
■ Suspender e Reiniciar comandos de programação e
Operações de apagamento
■ Desbloquear o comando do programa Bypass para reduzir
tempo de programação
■ Operação de programação síncrona ou assíncrona,
independentes das definições do registo de controlo de explosão
■ Pin de entrada ACC para reduzir o tempo de programação na fábrica
■ Apoio à Interface Flash Comum (CFI)
■ Intervalo de temperatura industrial (fábrica de contacto)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série WS-R
Embalagem Caixa
Estilo de montagem SMD/SMT
Intervalo de temperatura de funcionamento - 25 C a + 85 C
Embalagem *
Temperatura de funcionamento -25°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 10,7 V ~ 1,95 V
Embalagem do produto do fornecedor *
Capacidade de memória 64M (4M x 16)
Tipo de memória FLASH - NÃO
Velocidade 108 MHz
Arquitetura Setor
Memória de formato Flash
Padrão Interface Flash Comum (CFI)
Tipo de interface Paralelo
Organização 4 M x 16
Suporte-corrente-máximo 44 mA
Largura do Data-Bus 16 bits
Voltagem de alimentação máxima 1.95 V
Voltagem de alimentação-min 1.7 V
Embalagem FBGA-84
Frequência máxima do relógio 108 MHz
Tipo de cronometragem Asíncrono Sincrono
Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
S29WS064R0SBHW000
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0SBHW000
S29WS064R0SBHW013
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0SBHW013
S29WS064RABBHW010
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 vs S29WS064RABBHW010
S29WS064R0SBHW010
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 contra S29WS064R0SBHW010
S29WS064R0PBHW010
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0PBHW010
S29WS064R0SBHW003
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 contra S29WS064R0SBHW003
S29WS064RABBHW013
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 vs S29WS064RABBHW013
S29WS064R0PBHW013
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 contra S29WS064R0PBHW013
S29WS064RABBHW003
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 contra S29WS064RABBHW003
S29WS064R0PBHW000
Memória
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 Semicondutor de cipreste S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0PBHW000

Descrições

Flash - NOR Memória IC 64 Mb (4M x 16) Paralelo 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR Flash Parallel 1.8V 64M-bit 4M x 16 80ns 84-Pin TFBGA Tray
Memória flash