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S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALELO 84FBGA Cypress Semiconductor Corp

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Permanente | Formato da memória | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH - NEM | Tamanho de memória | 64Mbit |
Organização da memória | 4M x 16 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 108 megahertz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 60ns |
Tempo de acesso | 80 ns | Voltagem - Fornecimento | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamento | -25°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 84-VFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 84-FBGA (11.6x8) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
S29WS064RABBHW010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHI000 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHI010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128P0PBFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128P0SBFW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0PBFW000 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0SBFW000 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS512P0PBFW000 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS512P0SBFW000 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0LBFW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS128P0PBFW003 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS256P0SBFW002 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHW000 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS064RABBHW010 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128P0PBAW000 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA | |
S29WS128PABBFW000 | IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256PABBAW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256PABBFW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512PABBFW000 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256R0SBHW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256RAABHW000 | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256RAABHW000E | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS256RAABHW200E | IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512R0SBHW200E | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512R0SBHW000 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA | |
S29WS512R0SBHW200 | IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição geral
Os Spansion S29WS256/128/064N são produtos MirrorbitTM Flash fabricados com tecnologia de processo de 110 nm.Estes dispositivos flash de modo burst são capazes de executar operações de leitura e gravação simultâneas com latência zero em dois bancos separados usando dados separados e pins de endereçoEstes produtos podem operar até 80 MHz e utilizam um único VCC de 1,7 V a 1,95 V, o que os torna ideais para as exigentes aplicações sem fios de hoje, que exigem uma maior densidade.Melhor desempenho e menor consumo de energia.
Características distintivas
■ Leitura/programa/apagão de 1.8 V (1.701.95 V)■ Tecnologia MirrorBitTM de 110 nm
■ Função de leitura/escrita simultânea com zero
latência
■ Buffer de escrita de 32 palavras
■ Arquitetura de dezesseis bancos constituída por 16/8/4
Os MWords para WS256N/128N/064N, respectivamente
■ Quatro setores de 16 Kword na parte superior e inferior do
matriz de memória
■ 254/126/62 64 Sectores de Kword (WS256N/128N/
064N)
■ Modos de leitura em rádio programáveis
️ Linear para 32, 16 ou 8 palavras linear lido com ou
sem envoltório
Modo de leitura sequencial contínua
■ SecSiTM (Secured Silicon)
de 128 palavras cada para fábrica e cliente
■ 20 anos de conservação dos dados (típica)
■ Endurance de ciclismo: 100.000 ciclos por sector
(típico)
■ A saída RDY indica os dados disponíveis para o sistema
■ Conjunto de comandos compatível com o JEDEC (42.4)
padrão
■ Proteção por hardware (WP#) da parte superior e inferior
Setores
■ Configuração de dois sectores de boot (superior e inferior)
■ Pacotes oferecidos
WS064N: FBGA de 80 bolas (7 mm x 9 mm)
WS256N/128N: FBGA de 84 bolas (8 mm x 11,6 mm)
■ Baixo inibidor de escrita VCC
■ Métodos persistentes e de senha
Proteção do sector
■ Os bits de estado de operação de escrita indicam o programa e
Operação de apagamento concluída
■ Suspender e Reiniciar comandos de programação e
Operações de apagamento
■ Desbloquear o comando do programa Bypass para reduzir
tempo de programação
■ Operação de programação síncrona ou assíncrona,
independentes das definições do registo de controlo de explosão
■ Pin de entrada ACC para reduzir o tempo de programação na fábrica
■ Apoio à Interface Flash Comum (CFI)
■ Intervalo de temperatura industrial (fábrica de contacto)
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Semicondutor de cipreste |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | WS-R |
Embalagem | Caixa |
Estilo de montagem | SMD/SMT |
Intervalo de temperatura de funcionamento | - 25 C a + 85 C |
Embalagem | * |
Temperatura de funcionamento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 10,7 V ~ 1,95 V |
Embalagem do produto do fornecedor | * |
Capacidade de memória | 64M (4M x 16) |
Tipo de memória | FLASH - NÃO |
Velocidade | 108 MHz |
Arquitetura | Setor |
Memória de formato | Flash |
Padrão | Interface Flash Comum (CFI) |
Tipo de interface | Paralelo |
Organização | 4 M x 16 |
Suporte-corrente-máximo | 44 mA |
Largura do Data-Bus | 16 bits |
Voltagem de alimentação máxima | 1.95 V |
Voltagem de alimentação-min | 1.7 V |
Embalagem | FBGA-84 |
Frequência máxima do relógio | 108 MHz |
Tipo de cronometragem | Asíncrono Sincrono |
Parte do fabricante | Descrição | Fabricante | Comparação |
S29WS064R0SBHW000 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0SBHW000 |
S29WS064R0SBHW013 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0SBHW013 |
S29WS064RABBHW010 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 vs S29WS064RABBHW010 |
S29WS064R0SBHW010 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 contra S29WS064R0SBHW010 |
S29WS064R0PBHW010 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0PBHW010 |
S29WS064R0SBHW003 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 contra S29WS064R0SBHW003 |
S29WS064RABBHW013 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 vs S29WS064RABBHW013 |
S29WS064R0PBHW013 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 contra S29WS064R0PBHW013 |
S29WS064RABBHW003 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 contra S29WS064RABBHW003 |
S29WS064R0PBHW000 Memória |
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, sem chumbo, FBGA-84 | Semicondutor de cipreste | S29WS064RABBHW010 vs S29WS064R0PBHW000 |
Descrições
Flash - NOR Memória IC 64 Mb (4M x 16) Paralelo 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR Flash Parallel 1.8V 64M-bit 4M x 16 80ns 84-Pin TFBGA Tray
Memória flash
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