MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALELO 44SO Micron Technology Inc.

Descrição geral

Os MT28F004B3 (x8) e MT28F400B3 (x16/x8) são dispositivos de memória programáveis não voláteis, apagáveis por bloqueio (flash), contendo 4,194A gravação ou eliminação do dispositivo é feita com uma tensão de 3.3V ou 5V VPP, enquanto todas as operações são realizadas com uma 3.3V VCCDevido aos avanços da tecnologia de processo, o VPP 5V é ideal para aplicação e programação de produção.
O MT28F004B3 e o MT28F400B3 estão organizados em sete blocos apagáveis separadamente.Os dispositivos possuem um bloco de arranque protegido por hardware. Escrever ou apagar o bloco de inicialização requer aplicar uma supervoltagem ao pin RP# ou dirigir o WP# HIGH, além de executar as sequências normais de gravação ou apagamento.Este bloco pode ser utilizado para armazenar código implementado na recuperação do sistema de baixo nívelOs blocos restantes variam em densidade e são escritos e apagados sem medidas de segurança adicionais.

Características

• Sete blocos de apagamento:
Bloco de arranque de palavras de 16KB/8K (protegido)
Dois blocos de parâmetros de palavras de 8KB/4K
Quatro blocos de memória principais
• Tecnologia Smart 3 (B3):
3.3V ± 0,3V VCC
3.3V ± 0,3V Programação de aplicações VPP
5V ± 10% VPP aplicação/programação de produção1
• Compatível com dispositivos Smart 3 de 0,3 μm
• Processo CMOS de porta flutuante de 0,18 μm avançado
• Tempo de acesso ao endereço: 80 ns
• 100 000 ciclos de ERASE
• Pinouts padrão da indústria
• As entradas e saídas são totalmente compatíveis com o TTL
• Algoritmo automatizado de gravação e apagamento
• Sequência WRITE/ERASE de dois ciclos
• LEIA e ESCREVA em byte ou palavra
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Somente leitura e escrita em todo o byte
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Opções de embalagem TSOP e SOP