China MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR2
China Eletrônica de W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA Winbond

Eletrônica de W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA Winbond

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologias Infineon

S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MR2A16ACYS35 IC RAM 4 MBIT PARALELO 44TSOP2 Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35 IC RAM 4 MBIT PARALELO 44TSOP2 Everspin Technologies Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: Memória RAM
Tecnologia: MRAM (RAM magnetoresistiva)
China M29W320EB70ZE6E IC FLASH 32MBIT PARALELO 48TFBGA Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E IC FLASH 32MBIT PARALELO 48TFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Não volátil, volátil
Formato da memória: FLASH, RAM
Tecnologia: Flash - NAND, LPDRAM móvel
China AS7C256B-15PIN IC SRAM 256KBIT PARALELO 28DIP Alliance Memory, Inc.

AS7C256B-15PIN IC SRAM 256KBIT PARALELO 28DIP Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALELO 84WBGA Winbond Eletrônica

W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALELO 84WBGA Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR2
China S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON Tecnologias Infineon

S25FL256SAGNFI003 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China BR24G16FVJ-3AGTE2 IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP Semicondutor Rohm

BR24G16FVJ-3AGTE2 IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP Semicondutor Rohm

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
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