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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A5
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR2 Tamanho de memória 512Mbit
Organização da memória 128M x 4 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 400 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 400 picosegundos Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 60-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 60-FBGA (8x10)
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Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1,8 V de acordo com o padrão JEDEC (compatível com SSTL_18)
• Opção de estroboscopia de dados diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitetura de prefetch de 4n bits
• Opção de estroboscopia de saída dupla (RDQS) para x8
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Latência de CAS programável (CL)
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• LATENÇA DE ESCRITA = LATENÇA DE LECTAÇÃO - 1 tCK
• Comprimentos de explosão selecionáveis (BL): 4 ou 8
• Força do motor de saída de dados ajustável
• 64 ms, 8192 ciclos de atualização
• Terminação no momento da morte (ODT)
• Opção de temperatura industrial (IT)
• Opção de temperatura do automóvel (AT)
• Compatível com a RoHS
• Suporta a especificação JEDEC clock jitter

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 85°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 FBGA (8x10)
Capacidade de memória 512M (128Mx4)
Tipo de memória DDR2 SDRAM
Velocidade 2.5ns
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR2 Memória IC 512Mb (128M x 4) Paralela 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60 pin FBGA
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI