China GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALELO 165FPBGA GSI Technology Inc.

GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALELO 165FPBGA GSI Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Quad Port, sincrono
China BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Semicondutor Rohm

BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Semicondutor Rohm

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALELO 44SOJ Alliance Memory, Inc.

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALELO 44SOJ Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, assíncrono
China Eletrônica de W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond

Eletrônica de W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR2 móvel
China MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Eletrônica

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALELO 256FBGA Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, sincrono
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