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70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc

  • 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc
Marca Renesas Electronics America Inc
Número do modelo 70V657S10DRG
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória SRAM
Tecnologia SRAM - Portos duplos, assíncrono Tamanho de memória 1.125Mbit
Organização da memória 32K x 36 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 10ns
Tempo de acesso 10 ns Voltagem - Fornecimento 3,15V ~ 3,45V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 208-BFQFP Pacote de dispositivos do fornecedor 208-PQFP (28x28)
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Part Number Description
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T651S10DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S15DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S4DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DRI IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S6DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3579S4DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S6DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S133DRI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S15DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S15DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V7599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DRGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DRG8 IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição

O IDT70V659/58/57 é uma RAM estática de alta velocidade 128/64/32K x 36 de dupla porta assíncrona.O IDT70V659/58/57 é projetado para ser usado como uma RAM de dupla porta 4/2/1Mbit independente ou como uma combinação de RAM de dupla porta MASTER / SLAVE para um sistema de palavras de 72 bits ou maisO uso da abordagem IDT MASTERSLAVE Dual-Port RAM em aplicações de sistemas de memória de 72 bits ou mais resultam em uma operação livre de erros e de alta velocidade sem a necessidade de lógica discreta adicional.

Características

◆ Celas de memória de dupla porta que permitem o acesso simultâneo da mesma localização de memória
◆ Acesso de alta velocidade
- Comércio: 10/12/15n (máximo)
¢ Industrial: 12/15ns (máximo)
◆ Dual chip permite expansão de profundidade sem lógica externa
◆ O IDT70V659/58/57 amplia facilmente a largura do barramento de dados para 72 bits ou mais usando a opção Master/Slave selecionar quando em cascata mais de um dispositivo
◆ M/S = VIH para BUSY output flag no Master, M/S = VIL para BUSY input no Slave
◆ Bandeiras ocupadas e interrompidas
◆ Lógica de arbitragem de porta no chip
◆ Suporte completo de hardware no chip para sinalização semáfora entre portas
◆ Operação totalmente assíncrona a partir de qualquer porto
◆ Controles de bytes separados para compatibilidade de buses multiplexados e buses
◆ Suporta recursos JTAG compatíveis com o IEEE 1149.1
◆ Fornecimento de energia único de 3,3 V (± 150 mV) para núcleo compatível com LVTTL
◆ Fornecimento de energia de 3,3 V (± 150 mV) /2,5 V (± 100 mV) selecionável compatível com LVTTL para I/O e sinais de controlo em cada porta
◆ Disponível em um Flatpack Quad de Plástico de 208 pinos, em um Ball Grid Array de 208 bolas e em um Ball Grid Array de 256 bolas
◆ Dispõe-se de uma gama de temperaturas industriais (de 40°C a +85°C) para velocidades selecionadas

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Sistemas de circuitos integrados
Categoria de produtos IC de memória
Série 70V657
Tipo Asíncrono
Embalagem Caixa
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem 208-BFQFP
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3.15 V ~ 3.45 V
Embalagem do produto do fornecedor 208-PQFP (28x28)
Capacidade de memória 1.125M (32K x 36)
Tipo de memória SRAM - Portos duplos, assíncrono
Velocidade 10n
Tempo de acesso 10 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 70 C
Intervalo de temperatura de funcionamento 0 C
Tipo de interface Paralelo
Organização 32 k x 36
Suporte-corrente-máximo 500 mA
Parte-#-Aliases 70V657 IDT70V657S10DRG
Voltagem de alimentação máxima 3.45 V
Voltagem de alimentação-min 3.15 V
Embalagem PQFP-208
Componente funcional compatívelForma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
IDT70V657S10BFG
Memória		 SRAM de duas portas, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM de altura, 0,80 MM de altura, VERDE, FPBGA-208 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG vs IDT70V657S10BFG
70V657S10BFG
Memória		 CABGA-208, bandeja Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra 70V657S10BFG
70V657S10BFG8
Memória		 CABGA-208, bobina Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra 70V657S10BFG8
IDT70V657S10BFG8
Memória		 SRAM de dupla porta, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM ALTEZA, 0,80 MM PITCH, FPBGA-208 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra IDT70V657S10BFG8
70V657S10BC
Memória		 CABGA-256, bandeja Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra 70V657S10BC
IDT70V657S10DRG
Memória		 SRAM de duas portas, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3,50 MM de altura, VERDE, PLÁSTICO, QFP-208 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG versus IDT70V657S10DRG
IDT70V657S10BCG
Memória		 SRAM de duas portas, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de altura, 1 MM de altura, VERDE, BGA-256 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra IDT70V657S10BCG
70V657S10BCG
Memória		 CABGA-256, bandeja Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra 70V657S10BCG
IDT70V657S10BC
Memória		 SRAM de duas portas, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de altura, 1 MM PITCH, BGA-256 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra IDT70V657S10BC
70V657S10BCG8
Memória		 SRAM de duas portas, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de altura, 1 MM PITCH, BGA-256 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. 70V657S10DRG contra 70V657S10BCG8

Descrições

SRAM - Dual Port, Memória Assíncrona IC 1.125Mb (32K x 36) Paralela 10ns 208-PQFP (28x28)
SRAM 32K X 36 ASYNC DP RAM
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI