China MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALELO 78FBGA Micron Technology Inc.

MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALELO 78FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR4
China AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ Tecnologia de microchip 8MAP

AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ Tecnologia de microchip 8MAP

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Tecnologia de microchip

AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Tecnologias Infineon

CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALELO 48TFBGA Alliance Memory, Inc.

AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALELO 48TFBGA Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR2 móvel
China AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Tecnologia de microchip

AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL Tecnologia de microchip 40VSOP

AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL Tecnologia de microchip 40VSOP

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA Micron Technology Inc.

MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR4 móvel
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