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MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALELO 78FBGA Micron Technology Inc.

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
---|---|---|---|
Tecnologia | SDRAM - DDR4 | Tamanho de memória | 8 Gbits |
Organização da memória | 1G x 8 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 1,6 gigahertz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - |
Tempo de acesso | - | Voltagem - Fornecimento | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 95°C (TC) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 78-TFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 78-FBGA (7.5x11) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT40A4G4SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A1G8SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-075:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
MT40A512M8SA-062E:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
MT40A512M8SA-075:F | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AIT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E IT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AAT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AUT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AUT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AIT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E IT:F | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AAT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A4G4SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AIT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AIT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AUT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AUT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AAT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AAT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G8SA-075:H | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-075 C:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A4G4SA-062E PS:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062EPS:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E PS:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AIT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AAT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AIT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AUT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AAT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição
Estes supressores de tensão transitória de 1500 watts oferecem capacidades de manipulação de potência encontradas apenas em pacotes maiores.Eles são mais frequentemente utilizados para proteger contra transientes de ambientes de comutação indutiva ou efeitos secundários de relâmpago induzidos, como encontrados em níveis mais baixos de onda de IEC61000-4-5Com tempos de resposta muito rápidos, são também eficazes na protecção contra DSE ou EFT.As características do pacote Powermite® incluem um fundo totalmente metálico que elimina a possibilidade de encurralamento do fluxo de solda durante a montagemEles também fornecem uma única aba de bloqueio atuando como um disipador de calor integral.A indutividade parasitária é minimizada para reduzir os excessos de tensão durante transientes de tempo de alta rápida.
Características
• Pacote de fixação de superfície de perfil muito baixo (1.1 mm)• Caixas integradas de bloqueio do dissipador de calor
• Compatível com equipamento de inserção automática
• O fundo totalmente metálico elimina a captura do fluxo
• Faixa de tensão de 5 a 170 volts
• Disponível tanto unidireccional como bidireccional (subfixo C para bidireccional)
Classificações máximas
• Temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C• Temperatura de armazenagem: - 55°C a + 150°C
• Potência de pico de pulso de 1500 Watt (10 / 1000 μsec)
• Corrente de sobrecarga para a frente: 200 amperes a 8,3 ms (excluindo bidireccional)
• Taxa de aumento da repetição (fator de taxa): 0,01%
• Resistência térmica: junção de 2,5°C/watt com a guia junção de 130°C/watt com o ambiente com pegada recomendada
• Temperatura de chumbo e de montagem: 260°C durante 10 segundos
Aplicações / Benefícios
• Proteção temporária contra raios secundários• Proteção transitória por comutação indutiva
• Pequena pegada
• Indutância parasitária muito baixa para ultrapassagem mínima de tensão
• Compatível com as normas IEC61000-4-2 e IEC61000-4-4 para proteção ESD e EFT, respectivamente, e com as normas IEC61000-4-5 para níveis de sobretensão definidos no presente regulamento
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoria de produtos | Chips IC |
Mfr | Micron Technology Inc. |
Série | - |
Pacote | Caixa |
Estatuto do produto | Atividade |
Tipo de memória | Volátil |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 8Gb (1G x 8) |
Interface de memória | Paralelo |
Frequência do relógio | 1,6 GHz |
Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page | - |
Fornecimento de tensão | 1,14 V ~ 1,26 V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem | 78-TFBGA |
Embalagem do produto do fornecedor | A partir de 1 de janeiro de 2016, o número de veículos a motor equipados deve ser igual ou superior a: |
Número do produto de base | MT40A1 |
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