China Eletrônica de W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond

Eletrônica de W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR móvel
China MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
China BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semicondutor Rohm

BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Semicondutor Rohm

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd

FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ

FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FRAM
Tecnologia: FRAM (RAM Ferroelectric)
China AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Tecnologia de microchip

AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EPROM
Tecnologia: EPROM - OTP
China SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALEL 48WFBGA Tecnologia de microchip

SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALEL 48WFBGA Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrado

DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
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