China CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALELO 44SOJ Infineon Technologies

CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALELO 44SOJ Infineon Technologies

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Alemanha GmbH

AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Alemanha GmbH

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China 93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnologia de microchip

93LC56BT-I/MC IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3
China MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
China 7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 Renesas Electronics America Inc.

7130SA100C IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, assíncrono
China AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64 MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.

AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64 MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
China 71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China 24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Tecnologia de microchip

24CW1280T-I/OT IC EEPROM 128KBIT I2C SOT23-5 Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Semicondutor Rohm

BR24G32FVT-3AGE2 IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOPB Semicondutor Rohm

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
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