IS43TR81280B-107MBL-TR IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Características

● Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
Baixa tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
● Alta velocidade de transferência de dados com sistema
frequência até 933 MHz
● 8 bancos internos para operação simultânea
● Arquitetura pré-retirada de 8 bits
● Latência CAS programável: 5, 6, 7, 8, 9, 10 e 11
● Latência Aditiva Programável: 0, CL-1, CL-2
● Baseada em latência de escrita CAS (CWL) programável
sobre tCK
● Duração de explosão programável: 4 e 8
● Sequência de explosão programável: Sequencial ou
Período intercalar
● Interruptor BL no momento
● Auto-realização ((ASR))
● Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
● Intervalo de atualização:
7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Auto-refrescamento em matriz parcial
● Pin de RESET assíncrono
● TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● ODT dinâmico (Terminação instantânea)
● Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ′′)
● Escrever nivelamento
● Temperatura de funcionamento:
Comércio (TC = 0°C a +95°C)
Indústria (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)