China MX25L3233FM2I-08G IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Macronix

MX25L3233FM2I-08G IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP Macronix

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc.

MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3
China AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH

AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALELO 28DIP Cypress Semiconductor Corp

FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALELO 28DIP Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FRAM
Tecnologia: FRAM (RAM Ferroelectric)
China MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc.

MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
China MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
China DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: NVSRAM
Tecnologia: NVSRAM (SRAM permanente)
China 93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 Tecnologia de microchip

93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1,6GHZ 200WFBGA Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1,6GHZ 200WFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR4 móvel
China AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC Tecnologia de microchip

AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
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