MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALELO 96FBGA Micron Technology Inc.

Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT41J128M16HA-125 IT:D
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

Contacte-me para amostras grátis e vales.

Whatsapp:0086 18588475571

bate-papo: 0086 18588475571

skype: sales10@aixton.com

Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.

x
Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR3 Tamanho de memória 2Gbit
Organização da memória 128M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 800 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso 13,75 ns Voltagem - Fornecimento 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 95°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 96-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 96-FBGA (9x14)
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number Description
MT41K256M16TW-107 AUT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-107G:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AAT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AIT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D TR IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-107G:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Deixe um recado
Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

DDR3 SDRAM

2 GB: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Características

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• 1.5 V de entrada/saída por empurrão/puxação com terminação central
• Estroboscopo bidirecional de dados diferencial
• Arquitetura de prefetch de 8n-bit
• Entradas de relógio diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminação nominal e dinâmica (ODT) para sinais de dados, estroboscopo e máscara
• CAS READ latency (CL) programável
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• Latência de gravação CAS programável (CWL) baseada no tCK
• comprimento fixo de explosão (BL) de 8 e corte de explosão (BC) de 4 (através do conjunto de registo de modo [MRS])
• BC4 ou BL8 selecionáveis on-the-fly (OTF)
• Modo de auto-realização
• TC de 0°C a 95°C
- 64ms, 8192 ciclos de atualização a 0°C a 85°C
32ms, 8192 ciclos de atualização a 85°C a 95°C
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Escrever nivelamento
• Registo multifuncional
• Calibração do condutor de saída

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 96-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 95°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.425 V ~ 1.575 V
Embalagem do produto do fornecedor 96-FBGA (9x14)
Capacidade de memória 2G (128M x 16)
Tipo de memória DDR3 SDRAM
Velocidade 800 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR3 Memória IC 2Gb (128M x 16) Paralela 800MHz 13,75ns 96-FBGA (9x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA