China SST39VF010-70-4I-WHE IC FLASH 1MBIT PARALEL 32TSOP Tecnologia de microchip

SST39VF010-70-4I-WHE IC FLASH 1MBIT PARALEL 32TSOP Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALELO 84FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALELO 84FBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR2
China CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Tecnologias Infineon

CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Síncrono, SDR
China MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix

MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
China IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China 71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Semicondutor Rohm

BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Semicondutor Rohm

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Eletrônica

W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China 71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc.

71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
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