Todos os Produtos
-
Circuito integrado IC
-
Módulo do RF IC
-
Gestão CI do poder
-
Unidade do microcontrolador de MCU
-
Circuito integrado de FPGA
-
Sensor do circuito integrado
-
Circuitos integrados da relação
-
Isolador Opto de Digitas
-
Memória Flash IC
-
AMORTECEDOR IC da lógica
-
Microplaqueta de IC do amplificador
-
Sincronismo IC do pulso de disparo
-
IC por aquisição de dados
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALELO 84FBGA Micron Technology Inc.
| Marca | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Número do modelo | MT47H128M16RT-25E: C TR |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
Contacte-me para amostras grátis e vales.
Whatsapp:0086 18588475571
bate-papo: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.
xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 | Tamanho de memória | 2Gbit |
| Organização da memória | 128M x 16 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | 400 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
| Tempo de acesso | 400 picosegundos | Voltagem - Fornecimento | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 84-TFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 84-FBGA (9x12.5) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H128M16RT-25E:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E IT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E XIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| IS43DR16640B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3:E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-3:F | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-3:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E AAT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E L:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-187E:H | IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E L:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 AAT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 AIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47R64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47R64M16HR-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47R64M16HR-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 AAT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16PK-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E AIT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HW-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HW-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HW-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HW-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HW-25E AAT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AAT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E XIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E XIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AAT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancosMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos
Características
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• E/S de 1,8 V de acordo com o padrão JEDEC (compatível com SSTL_18)
• Opção de estroboscopia de dados diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitetura de prefetch de 4n bits
• Opção de estroboscopia de saída dupla (RDQS) para x8
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Latência de CAS programável (CL)
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• LATENÇA DE ESCRITA = LATENÇA DE LECTAÇÃO - 1 tCK
• Comprimentos de explosão selecionáveis (BL): 4 ou 8
• Força do motor de saída de dados ajustável
• 64 ms, 8192 ciclos de atualização
• Terminação no momento da morte (ODT)
• Opção de temperatura industrial (IT)
• Opção de temperatura do automóvel (AT)
• Compatível com a RoHS
• Suporta a especificação JEDEC clock jitter
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Embalagens alternativas de fita e bobina (TR) |
| Embalagem | 84-TFBGA |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tensão | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | Para efeitos do presente regulamento, o número de veículos deve ser igual ou superior a: |
| Capacidade de memória | 2G (128M x 16) |
| Tipo de memória | DDR2 SDRAM |
| Velocidade | 2.5ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - DDR2 Memória IC 2Gb (128M x 16) Paralela 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
Produtos recomendados
