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Eletrônica de W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
---|---|---|---|
Tecnologia | SDRAM - LPDDR2 móvel | Tamanho de memória | 512Mbit |
Organização da memória | 16M x 32 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 400 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
Tempo de acesso | - | Voltagem - Fornecimento | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 134-VFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | A partir de 1 de janeiro de 2014: |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
W979H2KBVX2I | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
W978H6KBVX2I TR | IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA | |
W97AH2NBVA2I | IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA | |
W979H6KBVX2E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
W979H6KBVX2I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
W978H2KBVX2E | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
W978H2KBVX2I | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
W978H6KBVX2E | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
W979H2KBVX2E | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
W979H6KBVX2E | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
W979H6KBVX2I | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
W978H6KBVX2I | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
MT42L128M32D2MH-25 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
MT42L128M32D2MH-3 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97AH2KBVX2E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97AH2KBVX2I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97BH2KBVX2E | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97BH2KBVX2I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97BH6KBVX2E | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97BH6KBVX2I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97AH6KBVX2E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97AH6KBVX2I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97AH6KBVX2E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
W97AH6KBVX2I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1332BDBH-1DIT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1332BDPC-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
EDB5432BEBH-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1316BDBH-1DIT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB1332BDPC-1D-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
MT42L16M32D1AC-25 IT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição geral
A W9712G6JB é uma DDR2 SDRAM de 128M bits, organizada em 2,097,152 palavras ×4 bancos ×16 bits. Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicações gerais.25IO -18 é compatível com a especificação DDR2-1066 (7-7-7).O -25/25I/25A são compatíveis com a especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (o grau industrial de 25I e o grau automotivo de 25A que é garantido para suportar -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)O -3 é compatível com a especificação DDR2-667 (5-5-5).
Características
Fornecimento de energia: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 VArquitetura de taxa de dados dupla: duas transferências de dados por ciclo de relógio
CAS Latência: 3, 4, 5, 6 e 7
Duração da explosão: 4 e 8
São transmitidos/recebidos dados com estroboscópios bidirecionais de dados diferenciais (DQS e DQS)
Alinhamento de borda com dados de leitura e centro com dados de gravação
DLL alinha transições DQ e DQS com o relógio
Entradas de relógio diferencial (CLK e CLK)
Máscaras de dados (DM) para gravação de dados.
Os comandos inseridos em cada borda positiva do CLK, dados e máscara de dados são referenciados para ambas as bordas do DQS
A latência aditiva programável do CAS enviada é suportada para aumentar a eficiência do comando e do bus de dados
Leia Latência = Latência Aditiva mais Latência CAS (RL = AL + CL)
Ajuste de impedância off-chip-driver (OCD) e terminação on-die (ODT) para melhor qualidade do sinal
Função de pré-carregamento automático para rajadas de leitura e gravação
Modo de atualização automática e auto-atualização
Desligação de energia pré-carregada e desligação de energia ativa
Escrever máscara de dados
Escrever Latência = Ler Latência - 1 (WL = RL - 1)
Interface: SSTL_18
Embalado em WBGA 84 Ball (8X12,5 mm)2), utilizando materiais livres de chumbo compatíveis com a RoHS
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Winbond Electronics |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | - |
Embalagem | Caixa |
Embalagem | 134-VFBGA |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 1.14 V ~ 1.95 V |
Embalagem do produto do fornecedor | A partir de 1 de janeiro de 2014: |
Capacidade de memória | 512M (16M x 32) |
Tipo de memória | SDRAM LPDDR2 móvel |
Velocidade | 400 MHz |
Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - Memória móvel LPDDR2 IC 512Mb (16M x 32) Paralela 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
SDRAM de alta velocidade, taxa de relógio até 533 MHz, quatro bancos internos
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