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Eletrônica de W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond

  • W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
Marca Winbond Electronics
Número do modelo W979H2KBVX2I
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - LPDDR2 móvel Tamanho de memória 512Mbit
Organização da memória 16M x 32 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 400 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso - Voltagem - Fornecimento 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 134-VFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor A partir de 1 de janeiro de 2014:
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Part Number Description
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I TR IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
W97AH2NBVA2I IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W979H2KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
MT42L128M32D2MH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L128M32D2MH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 IT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

A W9712G6JB é uma DDR2 SDRAM de 128M bits, organizada em 2,097,152 palavras ×4 bancos ×16 bits. Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicações gerais.25IO -18 é compatível com a especificação DDR2-1066 (7-7-7).O -25/25I/25A são compatíveis com a especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (o grau industrial de 25I e o grau automotivo de 25A que é garantido para suportar -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)O -3 é compatível com a especificação DDR2-667 (5-5-5).

Características

Fornecimento de energia: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 V
Arquitetura de taxa de dados dupla: duas transferências de dados por ciclo de relógio
CAS Latência: 3, 4, 5, 6 e 7
Duração da explosão: 4 e 8
São transmitidos/recebidos dados com estroboscópios bidirecionais de dados diferenciais (DQS e DQS)
Alinhamento de borda com dados de leitura e centro com dados de gravação
DLL alinha transições DQ e DQS com o relógio
Entradas de relógio diferencial (CLK e CLK)
Máscaras de dados (DM) para gravação de dados.
Os comandos inseridos em cada borda positiva do CLK, dados e máscara de dados são referenciados para ambas as bordas do DQS
A latência aditiva programável do CAS enviada é suportada para aumentar a eficiência do comando e do bus de dados
Leia Latência = Latência Aditiva mais Latência CAS (RL = AL + CL)
Ajuste de impedância off-chip-driver (OCD) e terminação on-die (ODT) para melhor qualidade do sinal
Função de pré-carregamento automático para rajadas de leitura e gravação
Modo de atualização automática e auto-atualização
Desligação de energia pré-carregada e desligação de energia ativa
Escrever máscara de dados
Escrever Latência = Ler Latência - 1 (WL = RL - 1)
Interface: SSTL_18
Embalado em WBGA 84 Ball (8X12,5 mm)2), utilizando materiais livres de chumbo compatíveis com a RoHS

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Winbond Electronics
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 134-VFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.14 V ~ 1.95 V
Embalagem do produto do fornecedor A partir de 1 de janeiro de 2014:
Capacidade de memória 512M (16M x 32)
Tipo de memória SDRAM LPDDR2 móvel
Velocidade 400 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória móvel LPDDR2 IC 512Mb (16M x 32) Paralela 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
SDRAM de alta velocidade, taxa de relógio até 533 MHz, quatro bancos internos
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI