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W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Eletrônica

  • W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Electronics
Marca Winbond Electronics
Número do modelo W949D2DBJX5I
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - LPDDR móvel Tamanho de memória 512Mbit
Organização da memória 16M x 32 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 200 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 5 ns Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 90-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 90-VFBGA (8x13)
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Part Number Description
W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W949D2DBJX5E IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX6E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX7E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W989D2DBJX6I TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W989D2DBJX6I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W9864G2JB-6 TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9864G2JB-6I TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W94AD2KBJX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W94AD2KBJX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W9812G2KB-6 TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W94AD2KBJX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W94AD2KBJX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W9864G2JB-6 IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9864G2JB-6I IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
W9812G2KB-6 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W9812G2KB-6I IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
W947D2HBJX5E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX5I IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5I IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX6E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6E IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6I IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6I IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX7E IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W9825G2JB-6 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-6I IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-75 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W947D2HBJX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W948D2FBJX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W9825G2JB-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W9825G2JB-75 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
W987D2HBJX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W987D2HBJX6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
W988D2FBJX7E TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

W9425G6DH é uma memória de acesso aleatório dinâmico síncrono CMOS de taxa de dados dupla (DDR SDRAM), organizada como 4,194Utilizando uma arquitetura de pipeline e tecnologia de processo de 0,11 μm, o W9425G6DH oferece uma largura de banda de dados de até 500M palavras por segundo (-4).Para cumprir plenamente o padrão industrial de computadores pessoais, W9425G6DH é classificado em quatro graus de velocidade: -4, -5, -6 e -75. O -4 é compatível com a especificação DDR500/CL3. O -5 é compatível com a especificação DDR400/CL3.O -6 é compatível com a DDR333/CL2.5 (o grau -6I que é garantido para suportar -40 °C ~ 85 °C). O -75 é compatível com a especificação DDR266/CL2 (o grau 75I que é garantido para suportar -40 °C ~ 85 °C).

Características

• Fornecimento de energia de 2,5 V ± 0,2 V para DDR266/DDR333
• Fornecimento de energia de 2,6 V ± 0,1 V para DDR400/DDR500
• Frequência de Relógio até 250 MHz
• Arquitetura de taxa de dados dupla; duas transferências de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CLK e CLK)
• O DQS está alinhado em bordas com os dados para Ler; alinhado no centro com os dados para Escrever
• CAS Latência: 2, 2,5 e 3
• Duração da explosão: 2, 4 e 8
• Auto-refrescar e auto-refrescar
• Desligação de energia pré-carregada e desligação de energia ativa
• Escrever máscara de dados
• Escrever Latência = 1
• Intervalo de atualização de 7, 8 μS (8K / 64 mS atualização)
• Ciclo máximo de atualização: 8
• Interface: SSTL_2
• Embalagem em TSOP II 66-pin, 400 mil, 0,65 mm de passo, com uso de Pb livre e compatível com a RoHS

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Winbond Electronics
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 90-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 10,7 V ~ 1,95 V
Embalagem do produto do fornecedor 90 VFBGA (8x13)
Capacidade de memória 512M (16M x 32)
Tipo de memória SDRAM LPDDR móvel
Velocidade 200 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória LPDDR móvel IC 512Mb (16M x 32) Paralela 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI