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MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.
Marca | Micron Technology Inc. |
---|---|
Número do modelo | MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M |
Quantidade de ordem mínima | 1 |
Preço | Based on current price |
Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
Termos de pagamento | T/T |
Habilidade da fonte | Em existência |

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Não volátil, volátil | Formato da memória | FLASH, RAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | Flash - NAND, LPDRAM móvel | Tamanho de memória | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM) |
Organização da memória | 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 208 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - |
Tempo de acesso | - | Voltagem - Fornecimento | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 168-WFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 168-WFBGA (12x12) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H32M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H32M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-5 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H64M32LFMA-6 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
EDB2432BCPA-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
EDB2432BCPE-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
EDB5432BEPA-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
EDBA232B2PF-1D-F-D | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
EDB1332BDPA-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
EDBA232B2PF-1D-F-R TR | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
EDB5432BEPA-1DIT-F-R | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição geral
Os dispositivos Micron NAND Flash incluem uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho.Existem cinco sinais de controlo utilizados para implementar a interface de dados assíncrona: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Sinais adicionais de controle de hardware de proteção de gravação e monitoramento do estado do dispositivo (R/B#).Esta interface de hardware cria um dispositivo de baixa contagem de pinos com um pinot padrão que permanece o mesmo de uma densidade para outra, permitindo atualizações futuras para ligações de maior densidade sem redesenho da placa.
Um alvo é a unidade de memória acessada por um sinal de ativação de chip.Um chip flash NAND é a unidade mínima que pode executar comandos independentemente e relatar o estado. Um chip NAND Flash, na especificação ONFI, é referido como uma unidade lógica (LUN). Há pelo menos um chip NAND Flash por sinal de ativação.ver Dispositivo e organização de matriz.
Este dispositivo possui um ECC interno de 4 bits que pode ser habilitado utilizando os recursos GET/SET.
Para mais informações, ver CCE interna e mapeamento da área de reserva para CCE.
Características
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compatível1• Tecnologia de células de nível único (SLC)
• Organização
Dimensão da página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
️ Tamanho da página x16: 1056 palavras (1024 + 32 palavras)
Tamanho do bloco: 64 páginas (128K + 4K bytes)
Tamanho do avião: 2 aviões x 2048 blocos por avião
¢ Tamanho do dispositivo: 4Gb: 4096 blocos; 8Gb: 8192 blocos 16Gb: 16.384 blocos
• Eficiência de E/S assíncrona
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Desempenho da matriz
¢ Leitura da página: 25μs 3
Página do programa: 200 μs (TYP: 1,8 V, 3,3 V) 3
Bloco de apagamento: 700 μs (TYP)
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avançados
Modo de cache da página do programa4
- Leia o modo de cache da página 4
¢ Modo de programação única (OTP)
Comando de dois planos 4
¢ Operações de matriz intercalada (LUN)
¢ Identificador único de leitura
Bloqueio de bloco (apenas 1,8 V)
Movimento de dados internos
• O byte de estado de operação fornece um método de software para detectar
¢ Conclusão da operação
Condição de aprovação/reprovamento
¢ Estado de proteção de gravação
• O sinal Ready/Busy# (R/B#) fornece um método de hardware de detecção da conclusão da operação
• sinal WP#: Proteger todo o dispositivo
• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado da fábrica com ECC. Para o ECC mínimo exigido, ver Gestão de erros.
• O bloco 0 requer ECC de 1 bit se os ciclos de PROGRAMA/ERASE forem inferiores a 1000
• RESET (FFh) exigido como primeiro comando após ligação
• Método alternativo de inicialização do dispositivo (Nand_In it) após ligar (fábrica de contato)
• Operações internas de transferência de dados suportadas no plano a partir do qual os dados são lidos
• Qualidade e fiabilidade
¢ Conservação dos dados: 10 anos
Duração: 100.000 ciclos de programação/apagamento
• Intervalo de tensão de funcionamento
VCC: 2,7V3,6V
VCC: 1,7V1,95V
• Temperatura de funcionamento:
️ Comercial: 0°C a +70°C
Indústria (IT): de 40°C a +85°C
• Pacote
¢ TSOP de 48 pinos, tipo 1, CPL2
- VFBGA de 63 bolas.
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoria de produtos | IC de memória |
Categoria | PMIC - Gestão de energia - Especializada |
Fabricante | Diodos incorporados |
Série | - |
Estatuto da parte | A última vez que comprei |
Aplicações | Controlador de aquecimento |
Fornecimento de corrente | - |
Fornecimento de tensão | 4 V ~ 5,5 V |
Temperatura de funcionamento | -20°C ~ 85°C (TA) |
Descrições
FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memória IC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) Paralelo 208MHz
NAND Flash e LPDDR PoP móvel
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