MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT4F4G08ABADAH4-IT:D TR
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória FLASH
Tecnologia FLASH - NAND Tamanho de memória 4Gbit
Organização da memória 512M x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso - Voltagem - Fornecimento 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 63-VFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 63-VFBGA (9x11)
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Part Number Description
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-IT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAEAH4:E TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAEAH4:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAEAH4:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4-IT:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4-S:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-E:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4:C TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABADAH4-AT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

Os dispositivos Micron NAND Flash incluem uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho.Existem cinco sinais de controlo utilizados para implementar a interface de dados assíncrona: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Sinais adicionais de controle de hardware de proteção de gravação e monitoramento do estado do dispositivo (R/B#).
Esta interface de hardware cria um dispositivo de baixa contagem de pinos com um pinot padrão que permanece o mesmo de uma densidade para outra, permitindo atualizações futuras para ligações de maior densidade sem redesenho da placa.
Um alvo é a unidade de memória acessada por um sinal de ativação de chip.Um chip flash NAND é a unidade mínima que pode executar comandos independentemente e relatar o estado. Um chip NAND Flash, na especificação ONFI, é referido como uma unidade lógica (LUN). Há pelo menos um chip NAND Flash por sinal de ativação.ver Dispositivo e organização de matriz.
Este dispositivo possui um ECC interno de 4 bits que pode ser habilitado utilizando os recursos GET/SET.
Para mais informações, ver CCE interna e mapeamento da área de reserva para CCE.

Características

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compatível1
• Tecnologia de células de nível único (SLC)
• Organização
Dimensão da página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
️ Tamanho da página x16: 1056 palavras (1024 + 32 palavras)
Tamanho do bloco: 64 páginas (128K + 4K bytes)
Tamanho do avião: 2 aviões x 2048 blocos por avião
¢ Tamanho do dispositivo: 4Gb: 4096 blocos; 8Gb: 8192 blocos 16Gb: 16.384 blocos
• Eficiência de E/S assíncrona
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Desempenho da matriz
¢ Leitura da página: 25μs 3
Página do programa: 200 μs (TYP: 1,8 V, 3,3 V) 3
Bloco de apagamento: 700 μs (TYP)
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avançados
Modo de cache da página do programa4
- Leia o modo de cache da página 4
¢ Modo de programação única (OTP)
Comando de dois planos 4
¢ Operações de matriz intercalada (LUN)
¢ Identificador único de leitura
Bloqueio de bloco (apenas 1,8 V)
Movimento de dados internos
• O byte de estado de operação fornece um método de software para detectar
¢ Conclusão da operação
Condição de aprovação/reprovamento
¢ Estado de proteção de gravação
• O sinal Ready/Busy# (R/B#) fornece um método de hardware de detecção da conclusão da operação
• sinal WP#: Proteger todo o dispositivo
• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado da fábrica com ECC. Para o ECC mínimo exigido, ver Gestão de erros.
• O bloco 0 requer ECC de 1 bit se os ciclos de PROGRAMA/ERASE forem inferiores a 1000
• RESET (FFh) exigido como primeiro comando após ligação
• Método alternativo de inicialização do dispositivo (Nand_In it) após ligar (fábrica de contato)
• Operações internas de transferência de dados suportadas no plano a partir do qual os dados são lidos
• Qualidade e fiabilidade
¢ Conservação dos dados: 10 anos
Duração: 100.000 ciclos de programação/apagamento
• Intervalo de tensão de funcionamento
VCC: 2,7V3,6V
VCC: 1,7V1,95V
• Temperatura de funcionamento:
️ Comercial: 0°C a +70°C
Indústria (IT): de 40°C a +85°C
• Pacote
¢ TSOP de 48 pinos, tipo 1, CPL2
- VFBGA de 63 bolas.

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 63-VFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor O número de veículos aéreos deve ser igual ou superior a:
Capacidade de memória 4G (512M x 8)
Tipo de memória Flash - NAND
Velocidade -
Memória de formato Flash

Descrições

Flash - IC de memória NAND 4Gb (512M x 8) paralelo 63-VFBGA (9x11)