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SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC Tecnologia de microchip

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Permanente | Formato da memória | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH | Tamanho de memória | 2Mbit |
Organização da memória | 256K x 8 | Relação da memória | SPI |
Frequência de pulso de disparo | 80 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 10µs |
Tempo de acesso | - | Voltagem - Fornecimento | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
SST25VF020B-80-4I-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4C-SAF-T | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAF-T | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAE | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4C-SAE | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF010A-33-4I-SAE | IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF010A-33-4C-SAE | IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4I-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAF | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4C-SAE-T | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4I-SAE | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF512-20-4C-SAE | IC FLASH 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF512-20-4C-SAE-T | IC FLASH 512KBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF512A-33-4I-SAE-T | IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25VF020B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF020B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF020B-80-4I-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4I-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4C-SAF | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-50-4I-SAE-T | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
SST25VF020-20-4I-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC | |
SST25VF020B-80-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF020B-80-4C-SAE | IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4C-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25LF020A-33-4I-SAE-T | IC FLASH 2MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
SST25WF040-40-5I-SAF | IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF080-75-4I-SAF | IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SOIC | |
SST25WF020-40-5I-SAF | IC FLASH 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF010-40-5I-SAF | IC FLASH 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF512-40-5I-SAF | IC FLASH 512KBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-80-4I-SAE | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25WF010-40-5I-SAF-T | IC FLASH 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25VF040B-80-4I-SAE-T | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25WF080-75-4I-SAF-T | IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SOIC | |
SST25WF020-40-5I-SAF-T | IC FLASH 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25WF040-40-5I-SAF-T | IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOIC | |
SST25PF040B-80-4C-SAE | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF040B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 4MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF080B-80-4C-SAE | IC FLASH 8MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
SST25PF080B-80-4C-SAE-T | IC FLASH 8MBIT SPI 80MHZ 8SOIC | |
24LC00/S | IC EEPROM 128B I2C 400KHZ DIE | |
24LC01B/S | IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ DIE | |
25AA640/S | IC EEPROM 64KBIT SPI 1MHZ DIE | |
25LC320/S | IC EEPROM 32KBIT SPI 2MHZ DIE |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição do produto
A família Serial Flash da série 25 possui uma interface compatível com SPI de quatro fios que permite uma baixa idade do pacote de contagem de pines, que ocupa menos espaço na placa e, finalmente, reduz os custos totais do sistema.Os dispositivos SST25VF020B são melhorados com uma frequência de funcionamento melhorada e um consumo de energia ainda menor. SST25VF020B memórias flash SPI são fabricados com SST proprietário, de alto desempenho CMOS SuperFlash tecnologia.O projeto de célula dividida e o injetor de túnel de óxido espesso alcançam uma maior confiabilidade e fabricabilidade em comparação com abordagens alternativas.
Características:
• Operações de leitura e gravação de uma só tensão¥ 2,7-3,6 V
• Arquitetura de Interface Serial
Compatível com SPI: modo 0 e modo 3
• Frequência do relógio de alta velocidade
¢ Até 80 MHz
• Confiabilidade superior
Endurance: 100.000 ciclos (típicos)
¢ Retenção de dados superior a 100 anos
• Baixo consumo de energia:
Corrente de leitura ativa: 10 mA (típica)
Corrente de espera: 5 μA (típica)
• Capacidade de apagamento flexível
Sectores uniformes de 4 KByte
Blocos de sobreposição uniformes de 32 KByte
Blocos de sobreposição uniformes de 64 KByte
• Programa de apagamento rápido e byte:
Tempo de apagamento do chip: 35 ms (típico)
Tempo de eliminação de setor/bloco: 18 ms (típico)
Tempo de Byte-Programa: 7 μs (típico)
• Programação de Incremento Automático de Endereço (AAI)
Diminui o tempo total de programação do chip em relação às operações de Byte-Program
• Detecção do fim da escrita
O software de pesquisa do bit BUSY no Registro de Status
¢ leitura do estado ocupado no pin SO no modo AAI
• Segure o alfinete (SEGUIR#)
Suspende uma sequência serial na memória
sem desmarcar o dispositivo
• Proteção de escrita (WP#)
Ativar/desabilitar a função de bloqueio do registo de estado
• Protecção de gravação por software
Escrever proteção através de bits de proteção de blocos no registo de estado
• Intervalo de temperatura
️ Comercial: 0°C a +70°C
-40°C a +85°C
• Pacotes disponíveis
️ SOIC de 8 chumbo (150 milis)
️ WSON de 8 contatos (6 mm x 5 mm)
• Todos os dispositivos não Pb (sem chumbo) são compatíveis com a RoHS
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Tecnologia de microchip |
Categoria de produtos | Chips IC |
Fabricante | Microchip |
Categoria de produtos | Memória flash |
RoHS | Detalhes |
Estilo de montagem | SMD/SMT |
Embalagem | SOIC-8 |
Tamanho da memória | 2 Mbit |
Tipo de interface | SPI |
Tipo de memória | NÃO |
Velocidade | 80 MHz |
Voltagem de alimentação máxima | 3.6 V |
Voltagem de alimentação-min | 2.7 V |
Suporte-corrente-máximo | 10 mA |
Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40°C a + 85°C |
Série | SST25VF |
Embalagem | Reel |
Arquitetura | Setor |
Marca | Tecnologia de microchip |
Largura do Data-Bus | 8 bits |
Frequência máxima do relógio | 80 MHz |
Organização | 256 k x 8 |
Tipo de cronometragem | Sincronizado |
Peso unitário | 0.019048 onças |
Componente funcional compatível
Forma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante | Descrição | Fabricante | Comparação |
SST25LF020A-33-4I-SAE Memória |
2M X 1 FLASH 3V PROM, PDSO8, 0,150 INCH, 4,90 X 6 MM, compatível com a ROHS, MS-012AA, SOIC-8 | Microchip Technology Inc. | A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho e ao Parlamento Europeu uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento. |
AT45DB021E-SHN-T Memória |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades da unidade de produção será alterado para o número de unidades de produção da unidade de produção. |
O número de veículos deve ser indicado. Memória |
2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0,150 INCH, 4,90 X 6 MM, compatível com a ROHS, MS-012AA, SOIC-8 | Microchip Technology Inc. | A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho e ao Parlamento Europeu uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento. |
AT45DB021E-SSHN-B Memória |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho e ao Parlamento Europeu uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento. |
AT45DB021E-SSHNT Memória |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção da unidade de produção. |
MX25L2006EM1I-12G Memória |
Flash, 1MX2, PDSO8, 0,150 INCH, sem halogênio e compatível com a ROHS, MS-012, SOP-8 | Macronix International Co Ltd | SST25VF020B-80-4I-SAE-T versus MX25L2006EM1I-12G |
AT45DB021E-SHN-B Memória |
Flash, 2MX1, PDSO8, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho e ao Parlamento Europeu uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento. |
AT45DB021E-SSHN2B-T Memória |
Flash, 2MX1, PDSO8, 0,150 INCH, VERDE, PLÁSTICO, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | O número de unidades de controlo é indicado no anexo I. |
M25P20-VMN6TPB Memória |
Flash, 256KX8, PDSO8, 0,150 INCH, compatível com a ROHS, PLASTICO, SOP-8 | Micron Technology Inc. | A partir de 1 de janeiro de 2017, a Comissão deve apresentar ao Conselho e ao Parlamento Europeu uma proposta de decisão relativa à aplicação do presente regulamento. |
Descrições
Memória flash IC 2Mb (256K x 8) SPI 80MHz 8-SOIC
NOR Flash Serial-SPI 3.3V 2M-bit 256K x 8 6ns 8-Pin SOIC T/R
Memória flash de 2,7 V a 3,6 V 2Mbit SPI Flash Serial
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