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China 70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronics America Inc

70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA Renesas Electronics America Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, sincrono
China SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL Tecnologia de microchip 48TSOP

SST39VF1601C-70-4I-EKE IC FLASH 16MBIT PARALLEL Tecnologia de microchip 48TSOP

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Eletrônica

W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALELO 100TQFP Cypress Semiconductor Corp

CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALELO 100TQFP Cypress Semiconductor Corp

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Síncrono, SDR
China MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
China MT29F2G08ABEAAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABEAAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
China CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnologias Infineon

CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Eletrônica

W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
China MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc.

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - LPDDR4 móvel
China MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALELO 48TSOP I Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND
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