China W25Q128JVFIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Winbond Eletrônica

W25Q128JVFIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
China MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
China AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH

AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH
China AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP Tecnologia de microchip

AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC Winbond Eletrônica

W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC Winbond Eletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALELO 66TSOP Micron Technology Inc.

MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALELO 66TSOP Micron Technology Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR
China IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrono
China M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroeletrônica

M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroeletrônica

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
China 24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN Tecnologia de microchip

24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN Tecnologia de microchip

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: EEPROM
Tecnologia: EEPROM
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