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MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALELO 66TSOP Micron Technology Inc.

  • MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT46V32M16P-5B:J TR
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR Tamanho de memória 512Mbit
Organização da memória 32M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 200 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 700 picosegundos Voltagem - Fornecimento 2,5V ~ 2,7V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 66-TSSOP (0,400", largura de 10.16mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 66-TSOP
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number Description
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M4TG-6T:D TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
MT46V16M8TG-6T IT:D TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
MT46V16M8TG-6T L:D TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M8TG-6T:D TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
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MT46V16M16TG-6T IT:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V16M16TG-6T:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V32M8TG-5B:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V32M8TG-6T L:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8TG-5B:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M8TG-6T:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8TG-75 L:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V8M16TG-6T L:D TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
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MT46V128M8P-75:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V16M16P-6T L:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
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MT46V32M16TG-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M16P-75:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M4P-5B:G IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M4P-5B:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M8P-6T IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8P-6T:F IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V16M8P-6T:DTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
MT46V32M8P-5B:GTR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V8M16P-6TIT:DTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-6T:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V128M4P-6T:D IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V128M4P-6T:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V128M4TG-75:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V128M8TG-6T:A IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
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MT46V128M8TG-75:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V16M8TG-75:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V256M4TG-6T:A IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
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MT46V32M16P-6T:C IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V32M16TG-5B:C TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16TG-6T:C IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V32M8TG-75:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M4TG-75:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M8P-5B:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-6T:D IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-6T:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
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MT46V64M8P-75 IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V64M8TG-75:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V8M16TG-75:D IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V8M16TG-75:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V8M16P-75:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V16M16P-75:F TR IC SDRAM DDR 256MB 66TSOP
MT46V32M16P-6T:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-6T:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V8M16P-5B:D TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M16P-6T IT:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V64M16TG-6T IT:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:K IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V128M8P-6T IT:A IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V16M16P-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-6T L IT:F IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M16P-6T IT:A IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP
MT46V64M4P-5B:K IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M4P-6T:K IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-5B L IT:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B IT:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-6T IT:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V16M16P-6T:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
MT46V32M16P-5B IT:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V128M4P-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B L:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M4P-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B L IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-6T IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8TG-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8TG-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B XIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B XIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V128M4P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B IT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B L:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B XIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B IT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M8P-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
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MT46V16M16P-5B AIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16P-5B L:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8TG-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8TG-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16TG-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16TG-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V32M16TG-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B AIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V16M16P-5B XIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição funcional

A DDR SDRAM usa uma arquitetura de taxa de dados dupla para alcançar uma operação de alta velocidade.A arquitetura de taxa de dados dupla é essencialmente uma arquitetura 2n-prefetch com uma interface projetada para transferir duas palavras de dados por ciclo de relógio nos pinos de I / O. Um único acesso de leitura ou gravação para a DDR SDRAM consiste efetivamente de uma única transferência de dados de 2n bits de largura, de um ciclo de relógio no núcleo interno da DRAM e de dois correspondentes de n bits de largura,transferências de dados de meio ciclo de horas nos pinos de E/S.

Características

• VDD = +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• VDD = +2,6V ±0,1V, VDDQ = +2,6V ±0,1V (DDR400)
• Transmissão bidireccional de dados estroboscópicos (DQS)
recebido com dados, ou seja, dados síncronos com a fonte
capture (x16 tem dois 1 por byte)
• Taxa de dupla transmissão interna de dados (DDR)
Arquitetura; dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados de READ; alinhado centralmente com dados de WRITE
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• Quatro bancos internos para funcionamento simultâneo
• Máscara de dados (DM) para mascarar dados de gravação
(x16 tem dois 1 por byte)
• Comprimentos de rajadas programáveis: 2, 4 ou 8
• Actualização automática
¢ 64 ms, ciclo 8192 (comercial e industrial)
- 16 ms, 8192 ciclos (automóvel)
• Auto- atualização (não disponível em dispositivos AT)
• TSOP de maior duração para melhorar a fiabilidade (OCPL)
• 2.5V de entrada/saída (compatível com SSTL_2)
• Opção de pré-carregamento automático simultâneo é suportada
• suporte ao bloqueio do tRAS (tRAP = tRCD)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.5 V ~ 2,7 V
Embalagem do produto do fornecedor 66-TSOP
Capacidade de memória 512M (32M x 16)
Tipo de memória DDR SDRAM
Velocidade 5n
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória DDR IC 512Mb (32M x 16) Paralela 200MHz 700ps 66-TSOP
Chip DRAM DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66-Pin TSOP T/R
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI