China IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Síncrono, SDR
China CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Síncrono, QDR II+
China IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
China FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Tecnologias Infineon

FM18W08-SGTR IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FRAM
Tecnologia: FRAM (RAM Ferroelectric)
China S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologias Infineon

S29GL064S70TFI030 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Tecnologias Infineon

S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP Tecnologias Infineon

Tipo da memória: Permanente
Formato da memória: FLASH
Tecnologia: FLASH - NEM
China IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS43TR16128DL-107MBLI IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
China 7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc.

7132LA20JG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, assíncrono
China 71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc.

71321LA20PFG IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP Renesas Electronics America Inc.

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Portos duplos, assíncrono
China IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

IS42S32800J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

Tipo da memória: Temporário
Formato da memória: GOLE
Tecnologia: SDRAM
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