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STAV58010P2 Nitreto de gálio 50V, 10W, DC-6GHz

  • STAV58010P2 Gallium Nitride 50V, 10W, DC-6GHz RF Power Transistor
Place of Origin CN
Marca in
Model Number STAV58010P2
Minimum Order Quantity 1
Preço Based on current price
Packaging Details anti-static bag & cardboard box
Delivery Time 5-8 work days
Payment Terms T/T
Supply Ability 3550 pcs In stock

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Detalhes do produto
Operating Voltage 55 Vdc Maximum forward gate current 2 mA
Gate--Source Voltage S -8 to +0.5 Vdc Drain--Source Voltage +200 Vdc
Storage Temperature Range -65 to +150 Case Operating Temperature +150
Operating Junction Temperature +225
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Descrição de produto

Gállio Nitreto 50 V, 16 W, DC-6GHzRF Potência Transistores
 
Descrição
 
O STAV58016P2 é a) 16 Watts, sem igual GaN HEMT, idealpara Aplicações geraispara 6 GHz.
Ele apresentaalto ganho, largura banda e baixa custo, em 4*4,5 mmDFNplástico Pacote.
Pode. apoioCW, pulsoou qualquer Modulado sinal.
Aqui. é - Não. Garantia de desempenho quando este Parte é utilizadas fora de declarado frequências.

  • Tipico Classe AB - Carregador único Caracterização W-CDMA Função:

VDD = 50 Vdc,Eu...DQ = 20 mA, Input Sinalização PAR = 10 dB @0.01% Probabilidade em CCDF.
(em Introdução Tabela de inscrições com Dispositivo soldado)
 

Frequência
(MHz)

Pout
(dBm)

CCDF
(dB)

Pico
(dBm)

Pico
(W)

ACRP
(dBc)

Ganho
(dB)

- Não.
(%)

3300

33.009.1242.1216.3- Trinta e cinco.916.827.8
340032.999.0442.0316.0- Trinta e seis.317.127.8
350033.008.9241.9215.6- 37 anos.117.428.7
360032.978.9041.8815.4- Trinta e oito.117.527.4
370033.008.9741.9715.7- 39 anos.417.427.4
380033.018.9041.9115.5- Quarenta.716.625.7

 
Aplicações

  • 5G, 4G Infraestrutura sem fio
  • Banda larga ou banda estreita potência amplificador
  • Teste instrumentos
  • - Não. pulso Radar
  • - O que é?

 
 

Etiquetas:

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