W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALELO 60WBGA Winbond Eletrônica

Marca Winbond Electronics
Número do modelo W9725G8KB-25 TR
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR2 Tamanho de memória 256Mbit
Organização da memória 32M x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 200 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 400 picosegundos Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 60-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 60 WBGA (8x12.5)
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Part Number Description
W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W9725G8KB-18 TR IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA
W9725G8KB25I TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W9725G8KB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W9725G8KB-18 IC DRAM 256MBIT PAR 60WBGA
W9725G8KB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8NB25I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8NB-25 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8NB-25 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8NB25I IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W971GG8JB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB25I IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8JB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8KB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W971GG8SB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB-25 TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
W9751G8KB25I TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60WBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

O W9725G8JB é uma 256M bits DDR2 SDRAM, organizado como 8,388,608 palavras x 4 bancos x 8 bits. Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicações gerais.25I e -3O -18 é compatível com a especificação DDR2-1066 (7-7-7).Os -25/25I são conformes com as especificações DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (o grau industrial de 25I que é garantido para suportar -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)O -3 é compatível com a especificação DDR2-667 (5-5-5).

Características

• Fornecimento de energia: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Arquitetura de taxa de dados dupla: duas transferências de dados por ciclo de relógio
• CAS Latência: 3, 4, 5, 6 e 7
• Duração da explosão: 4 e 8
• São transmitidos/recebidos dados através de estroboscópios bidirecionais de dados diferenciais (DQS e DQS)
• Alinhada em borda com dados de leitura e alinhada no centro com dados de gravação
• DLL alinha as transições DQ e DQS com o relógio
• Entradas de relógio diferencial (CLK e CLK)
• Máscaras de dados (DM) para gravação de dados.
• Os comandos inseridos em cada borda positiva do CLK, dados e máscara de dados são referenciados para ambas as bordas do DQS
• Compatível com a latência aditiva programável do CAS para aumentar a eficiência do comando e do data bus
• Leitura de Latência = Latência Aditiva mais Latência CAS (RL = AL + CL)
• Ajuste de impedância off-chip-driver (OCD) e On-Die-Termination (ODT) para melhor qualidade do sinal
• Função de pré-carregamento automático para rádios de leitura e gravação
• Modo de atualização automática e auto-actualização
• Desligação de energia pré-carregada e desligação de energia ativa
• Escrever máscara de dados
• Escrever Latência = Ler Latência - 1 (WL = RL - 1)
• Interface: SSTL_18
• Embalado em WBGA 60 Ball (8X12.5 mm2), utilizando materiais livres de chumbo compatíveis com a RoHS

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Winbond Electronics
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 85°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 WBGA (8x12.5)
Capacidade de memória 256M (32M x 8)
Tipo de memória DDR2 SDRAM
Velocidade 2.5ns
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR2 Memória IC 256Mb (32M x 8) Paralela 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 60 pin WBGA