AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALELO 134FBGA Alliance Memory, Inc.

Marca Alliance Memory, Inc.
Número do modelo AS4C128M32MD2A-18BIN
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - LPDDR2 móvel Tamanho de memória 4Gbit
Organização da memória 128M x 32 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 533 megahertz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso - Voltagem - Fornecimento 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 134-VFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 134-FBGA (10x11.5)
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Part Number Description
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C8M32MD2A-25BCN IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BIN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BIN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-25BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2A-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BCNTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M32MD2-18BINTR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C32M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C128M16MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCN IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
AS4C64M32MD2A-25BCNTR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Características

• Organização: 1,048,576 palavras × 4 bits
• Alta velocidade
- Tempo de acesso ao RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tempo de acesso ao endereço da coluna
- 10/13/15/18 ns Tempo de acesso ao CAS
• Baixo consumo de energia
- Ativos: 385 mW máximo (-60)
- Em espera: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modo de página rápida (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualização, intervalo de actualização de 16 ms
- Reaproveitamento somente do RAS ou do CAS antes do RAS
• Leitura-modificação-escrita
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26-pin TSOP
• Fonte de alimentação única de 5 V
• Proteção ESD ≥ 2001V
• Corrente de retenção ≥ 200 mA

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteAlliance Memory, Inc.
Categoria de produtosChips IC
MfrAlliance Memory Inc.
Série-
PacoteCaixa
Estatuto do produtoAtividade
Tipo de memóriaVolátil
Formato de memóriaDRAM
TecnologiaSDRAM - LPDDR2 móvel
Tamanho da memória4Gb (128M x 32)
Interface de memóriaParalelo
Frequência do relógio533 MHz
Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page15n
Fornecimento de tensão1,14 V ~ 1,95 V
Temperatura de funcionamento-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagemMontagem de superfície
Embalagem134-VFBGA
Embalagem do produto do fornecedor134-FBGA (10x11.5)
Número do produto de baseAS4C128