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AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALELO 134FBGA Alliance Memory, Inc.

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
---|---|---|---|
Tecnologia | SDRAM - LPDDR2 móvel | Tamanho de memória | 4Gbit |
Organização da memória | 128M x 32 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 533 megahertz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
Tempo de acesso | - | Voltagem - Fornecimento | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 134-VFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 134-FBGA (10x11.5) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C128M32MD2A-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-25BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C8M32MD2A-25BCN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-25BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BCN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BCNTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Características
• Organização: 1,048,576 palavras × 4 bits• Alta velocidade
- Tempo de acesso ao RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tempo de acesso ao endereço da coluna
- 10/13/15/18 ns Tempo de acesso ao CAS
• Baixo consumo de energia
- Ativos: 385 mW máximo (-60)
- Em espera: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modo de página rápida (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualização, intervalo de actualização de 16 ms
- Reaproveitamento somente do RAS ou do CAS antes do RAS
• Leitura-modificação-escrita
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26-pin TSOP
• Fonte de alimentação única de 5 V
• Proteção ESD ≥ 2001V
• Corrente de retenção ≥ 200 mA
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
Categoria de produtos | Chips IC |
Mfr | Alliance Memory Inc. |
Série | - |
Pacote | Caixa |
Estatuto do produto | Atividade |
Tipo de memória | Volátil |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - LPDDR2 móvel |
Tamanho da memória | 4Gb (128M x 32) |
Interface de memória | Paralelo |
Frequência do relógio | 533 MHz |
Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page | 15n |
Fornecimento de tensão | 1,14 V ~ 1,95 V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem | 134-VFBGA |
Embalagem do produto do fornecedor | 134-FBGA (10x11.5) |
Número do produto de base | AS4C128 |
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