Eletrônica de W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Winbond

Marca Winbond Electronics
Número do modelo W9812G6KH-6
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM Tamanho de memória 128Mbit
Organização da memória 8M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 166 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso 5 ns Voltagem - Fornecimento 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 54-TSOP (0,400", largura de 10.16mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 54-TSOP II
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Part Number Description
W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I TR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I TR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6KH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6KH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-5 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6KH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6IH-6 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6IH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6EH-6 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-6I IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-6I IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MD56V62160M-7TAZ0AX IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9864G6JH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
W9812G6JH-5 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição

A W9812G6KH é uma memória de acesso aleatório dinâmico síncrono de alta velocidade (SDRAM), organizada como 2M palavras x 4 bancos x 16 bits.Para cumprir plenamente o padrão industrial de computadores pessoais, W9812G6KH é classificado nas seguintes classes de velocidade: -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J e -75.


Características

3.3V ± 0,3V Fornecimento de energia
Até 200 MHz Frequência de relógio
2,097,152 Palavras 4 bancos 16 bits organização
Modo de auto-realização
CAS Latência: 2 e 3
Duração da explosão: 1, 2, 4, 8 e página inteira
Leia em rádio, escreva sozinho
Dados de byte controlados pelo LDQM, UDQM
Modo desligado
Precarga automática e pré-carga controlada
Ciclos de atualização 4K/64 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
Ciclos de atualização 4K/16 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 105°C
Interface: LVTTL
Embalagem em TSOP II 54-pin, 400 mil usando materiais livres de chumbo compatíveis com a RoHS

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteWinbond Electronics
Categoria de produtosIC de memória
Série-
EmbalagemEmbalagens alternativas de tubos
Embalagem54-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento0°C ~ 70°C (TA)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tensão3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor54-TSOP II
Capacidade de memória128M (8M x 16)
Tipo de memóriaSDRAM
Velocidade166 MHz
Memória de formatoMemória RAM

Descrições

Memória SDRAM IC 128Mb (8M x 16) Paralela 166MHz 5ns 54-TSOP II
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II