DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALELO 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Marca Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Número do modelo DS1220AD-100IND+
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória NVSRAM
Tecnologia NVSRAM (SRAM permanente) Tamanho de memória 16Kbit
Organização da memória 2K x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 100ns
Tempo de acesso 100 ns Voltagem - Fornecimento 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Através do Buraco
Embalagem / Caixa Módulo 24-DIP (0,600", 15.24mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 24-EDIP
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Part Number Description
DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-120+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-120+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-120 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-150 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-120 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-200IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-200IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AD-100IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-100IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220AB-150IND IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-200+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-200IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-100+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
DS1220Y-150+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição

As SRAMs DS1220AB e DS1220AD 16k não voláteis são SRAMs de 16.384 bits, totalmente estáticas e não voláteis organizadas em 2048 palavras por 8 bits.Cada SRAM NV possui uma fonte de energia de lítio autónoma e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerânciaQuando tal condição ocorre, a fonte de energia de lítio é automaticamente ligada e a proteção de gravação é activada incondicionalmente para evitar a corrupção de dados.As SRAM NV podem ser usadas em vez das SRAMs 2k x 8 existentes diretamente conformes ao padrão DIP de 24 pinos de largura de bytewide popularOs dispositivos também combinam o pin-out da EPROM 2716 e da EEPROM 2816, permitindo a substituição direta, melhorando o desempenho.Não há limite no número de ciclos de gravação que podem ser executados e não é necessária nenhuma circuita de suporte adicional para a interface do microprocessador.

Características

■ 10 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externa
■ Proteção automática dos dados em caso de perda de energia
■ Substitui directamente 2k x 8 RAM estática volátil ou EEPROM
■ Ciclos de gravação ilimitados
■ CMOS de baixo consumo
■ Pacote DIP padrão JEDEC de 24 pinos
■ Tempo de acesso de leitura e gravação de 100 ns
■ A fonte de energia de lítio é desconectada electricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
■ Faixa de funcionamento VCC total ± 10% (DS1220AD)
■ Opcional ± 5% de alcance de funcionamento VCC (DS1220AB)
■ Faixa de temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C, designada IND

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Dallas Semicondutores
Categoria de produtos IC de memória
Série DS1220AD
Embalagem Tubos
Estilo de montagem Através do Buraco
Embalagem Módulo 24-DIP (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor 24-EDIP
Capacidade de memória 16K (2K x 8)
Tipo de memória NVSRAM (SRAM não volátil)
Velocidade 100 ns
Tempo de acesso 100 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 C.
Corrente de abastecimento operacional 85 mA
Tipo de interface Paralelo
Organização 2 k x 8
Parte-#-Aliases 90-1220A+D1I DS1220AD
Largura do Data-Bus 8 bits
Voltagem de alimentação máxima 5.5 V
Voltagem de alimentação-min 4.5 V
Embalagem EDIP-24

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
DS1220Y-100
Memória
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDIDO, DIP-24 Dallas Semiconductor DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100
DS1220AB-100IND
Memória
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTICO, DIP-24 Produtos integrados Maxim DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100IND
DS1220AD-100
Memória
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDIDO, DIP-24 Dallas Semiconductor DS1220AD-100IND+ versus DS1220AD-100
DS1220Y-100IND
Memória
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-24 Produtos integrados Maxim DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100IND
DS1220AD-100IND
Memória
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTICO, DIP-24 Produtos integrados Maxim DS1220AD-100IND+ versus DS1220AD-100IND
DS1220AB-100+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, PLASTICO, DIP-24 Produtos integrados Maxim DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100+
DS1220AB-100IND+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, PLASTICO, DIP-24 Produtos integrados Maxim DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100IND+
DS1220Y-100+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-24 Produtos integrados Maxim DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100+
DS1220Y-100IND+
Memória
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-24 Produtos integrados Maxim DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100IND+
DS1220AB-100
Memória
Módulo SRAM não volátil 2KX8, 100ns, DMA24, 0,720 INCH, PLASTICO, DIP-24 Rochester Electronics LLC DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100

Descrições

NVSRAM (SRAM não volátil) Memória IC 16Kb (2K x 8) Paralela 100ns 24-EDIP
NVRAM 16k SRAM não volátil