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DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALELO 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Permanente | Formato da memória | NVSRAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | NVSRAM (SRAM permanente) | Tamanho de memória | 16Kbit |
Organização da memória | 2K x 8 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | - | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100 ns | Voltagem - Fornecimento | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Através do Buraco |
Embalagem / Caixa | Módulo 24-DIP (0,600", 15.24mm) | Pacote de dispositivos do fornecedor | 24-EDIP |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
DS1220AD-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-120+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-150IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-120+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-120 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-150 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-200 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-150 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-100 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-120 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-100 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-200IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-200IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AD-100IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-100IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220AB-150IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220Y-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220Y-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220Y-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220Y-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
DS1220Y-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição
As SRAMs DS1220AB e DS1220AD 16k não voláteis são SRAMs de 16.384 bits, totalmente estáticas e não voláteis organizadas em 2048 palavras por 8 bits.Cada SRAM NV possui uma fonte de energia de lítio autónoma e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerânciaQuando tal condição ocorre, a fonte de energia de lítio é automaticamente ligada e a proteção de gravação é activada incondicionalmente para evitar a corrupção de dados.As SRAM NV podem ser usadas em vez das SRAMs 2k x 8 existentes diretamente conformes ao padrão DIP de 24 pinos de largura de bytewide popularOs dispositivos também combinam o pin-out da EPROM 2716 e da EEPROM 2816, permitindo a substituição direta, melhorando o desempenho.Não há limite no número de ciclos de gravação que podem ser executados e não é necessária nenhuma circuita de suporte adicional para a interface do microprocessador.
Características
■ 10 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externa■ Proteção automática dos dados em caso de perda de energia
■ Substitui directamente 2k x 8 RAM estática volátil ou EEPROM
■ Ciclos de gravação ilimitados
■ CMOS de baixo consumo
■ Pacote DIP padrão JEDEC de 24 pinos
■ Tempo de acesso de leitura e gravação de 100 ns
■ A fonte de energia de lítio é desconectada electricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
■ Faixa de funcionamento VCC total ± 10% (DS1220AD)
■ Opcional ± 5% de alcance de funcionamento VCC (DS1220AB)
■ Faixa de temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C, designada IND
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Dallas Semicondutores |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | DS1220AD |
Embalagem | Tubos |
Estilo de montagem | Através do Buraco |
Embalagem | Módulo 24-DIP (0,600", 15,24 mm) |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 4.5 V ~ 5.5 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 24-EDIP |
Capacidade de memória | 16K (2K x 8) |
Tipo de memória | NVSRAM (SRAM não volátil) |
Velocidade | 100 ns |
Tempo de acesso | 100 ns |
Memória de formato | Memória RAM |
Temperatura máxima de funcionamento | + 85 C |
Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40 C. |
Corrente de abastecimento operacional | 85 mA |
Tipo de interface | Paralelo |
Organização | 2 k x 8 |
Parte-#-Aliases | 90-1220A+D1I DS1220AD |
Largura do Data-Bus | 8 bits |
Voltagem de alimentação máxima | 5.5 V |
Voltagem de alimentação-min | 4.5 V |
Embalagem | EDIP-24 |
Componente funcional compatível
Forma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante | Descrição | Fabricante | Comparação |
DS1220Y-100 Memória |
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDIDO, DIP-24 | Dallas Semiconductor | DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100 |
DS1220AB-100IND Memória |
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTICO, DIP-24 | Produtos integrados Maxim | DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100IND |
DS1220AD-100 Memória |
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0,720 INCH, EXTENDIDO, DIP-24 | Dallas Semiconductor | DS1220AD-100IND+ versus DS1220AD-100 |
DS1220Y-100IND Memória |
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-24 | Produtos integrados Maxim | DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100IND |
DS1220AD-100IND Memória |
Módulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, PLASTICO, DIP-24 | Produtos integrados Maxim | DS1220AD-100IND+ versus DS1220AD-100IND |
DS1220AB-100+ Memória |
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, PLASTICO, DIP-24 | Produtos integrados Maxim | DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100+ |
DS1220AB-100IND+ Memória |
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, PLASTICO, DIP-24 | Produtos integrados Maxim | DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100IND+ |
DS1220Y-100+ Memória |
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-24 | Produtos integrados Maxim | DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100+ |
DS1220Y-100IND+ Memória |
Modulo SRAM não volátil, 2KX8, 100ns, CMOS, 0,720 INCH, compatível com a ROHS, DIP-24 | Produtos integrados Maxim | DS1220AD-100IND+ versus DS1220Y-100IND+ |
DS1220AB-100 Memória |
Módulo SRAM não volátil 2KX8, 100ns, DMA24, 0,720 INCH, PLASTICO, DIP-24 | Rochester Electronics LLC | DS1220AD-100IND+ versus DS1220AB-100 |
Descrições
NVSRAM (SRAM não volátil) Memória IC 16Kb (2K x 8) Paralela 100ns 24-EDIP
NVRAM 16k SRAM não volátil
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