MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA Micron Technology Inc.

Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT29F256G08CKCDBJ5-6R: D
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
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Tempo de entrega 3-5 dias úteis
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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (MLC) Tamanho de memória 256Gbit
Organização da memória 32G x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 167 megahertz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso - Voltagem - Fornecimento 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa - Pacote de dispositivos do fornecedor 132-TBGA (12x18)
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Part Number Description
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 IC FLASH 512GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D IC FLASH 128GBIT PARALLEL 83MHZ
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132TBGA
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

Os dispositivos Micron NAND Flash incluem uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho.Existem cinco sinais de controle utilizados para implementar a interface de dados asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Sinais adicionais controlam a proteção de gravação do hardware (WP#) e monitoram o estado do dispositivo (R/B#).

Características

• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatível com 2.2
• Tecnologia de células de níveis múltiplos (MLC)
• Organização
️ Tamanho da página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamanho do bloco: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamanho do avião: 2 aviões x 2048 blocos por avião
¢ Tamanho do dispositivo: 64 GB: 4096 blocos;
128 GB: 8192 blocos;
256 GB: 16.384 blocos;
512Gb: 32.786 blocos
• Eficiência de E/S síncrona
¢ Até ao modo de sincronização 5
Rate clock: 10ns (DDR)
¢ Densidade de leitura/gravação por pin: 200 MT/s
• Eficiência de E/S assíncrona
¢ Até ao modo de sincronização assíncrona 5
- Não.
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Desempenho da matriz
¢ Leitura da página: 50μs (MAX)
Página do programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueio de apagamento: 3 ms (TYP)
• Faixa de tensão de funcionamento
VCC: 2,7V3,6V
VCCQ: 1,7V1,95V, 2,7V3,6V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avançados
¢ Cache do programa
¢ Ler cache sequencial
Leia cache aleatório
¢ Modo de programação única (OTP)
¢ Comandos de vários planos
¢ Operações multi-LUN
¢ Identificador único de leitura
️ Copiaback
• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado
Para o ECC mínimo exigido, ver
Gestão de erros (página 109).
• RESET (FFh) exigido como primeiro comando após a alimentação
em
• O byte de estado de operação fornece um método de software para
detecção
¢ Conclusão da operação
Condição de aprovação/reprovamento
¢ Estado de proteção de gravação
• Os sinais DQS fornecem um método de hardware
para a sincronização de dados DQ na rede síncrona
interface
• Operações de copiamento suportadas dentro do avião
do qual são lidos os dados
• Qualidade e fiabilidade
¢ Conservação dos dados: 10 anos
Duração: 5000 ciclos de programação/apagamento
• Temperatura de funcionamento:
️ Comercial: 0°C a +70°C
Indústria (IT): de 40°C a +85°C
• Pacote
LGA de 52 almofadas
¢ TSOP de 48 pinos
- 100 bolas BGA.

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem * Embalagem alternativa
Embalagem *
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor *
Capacidade de memória 256G (32G x 8)
Tipo de memória Flash - NAND
Velocidade -
Memória de formato Flash

Descrições

Flash - IC de memória NAND 256Gb (32G x 8) paralelo 167MHz
NAND FLASH, MLC NAND